[發明專利]一種歐姆接觸電極、其制備方法及包含該歐姆接觸電極的半導體元件

有效

• 申請號: 201310006807.1
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN103077963A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 盧洋藩;顧建龍;葉志鎮;陳匆;吳惠敏;汪雷;陳凌翔;葉春麗;李霞
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L21/28
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種置于n型寬帶隙半導體基底上的歐姆接觸電極，其特征在于：所述的電極包括置于n型寬帶隙半導體基底(1)上的金屬電極層，所述金屬電極層的第一電極層(2)是Ti金屬層，第二電極層(3)是Ni金屬層，第三電極層(4)是Ti金屬層，第四電極層(5)是熱惰性金屬層。

2.根據權利要求1所述的歐姆接觸電極，其特征在于：所述的熱惰性金屬層選自Au金屬層、Pt金屬層、Pd金屬層、Ir金屬層中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的歐姆接觸電極，其特征在于：所述的n型寬帶隙半導體基底(1)選自塊狀n型寬帶隙半導體、n型寬帶隙半導體薄膜、n型寬帶隙半導體納米結構。

4.根據權利要求1-3任一項所述的歐姆接觸電極，其特征在于：所述的n型寬帶隙半導體選自n型ZnO、n型ZnMgO、n型ZnBeO、n型金剛石、n型SiC、n型GaN、n型AlGaN、n型AlN、n型ZnS。

5.根據權利要求1-3任一項所述的歐姆接觸電極，其特征在于：所述的第一電極層(2)的厚度為20～70?nm，第二電極層(3)的厚度為30～60?nm，第三電極層(4)的厚度為10～70?nm，第四電極層(5)的厚度為20～90?nm。

6.一種置于n型寬帶隙半導體基底上的歐姆接觸電極的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

清洗n型寬帶隙半導體基底(1)并吹干；

在清洗好的n型寬帶隙半導體基底(1)上覆蓋上帶有電極圖案的掩模版；

在n型寬帶隙半導體基底(1)上依次生長第一電極層(2)、第二電極層(3)、第三電極層(4)和第四電極層(5)，所述的第一電極層(2)是Ti金屬層，第二電極層(3)是Ni金屬層，第三電極層(4)是Ti金屬層，第四電極層(5)是熱惰性金屬層；

移除掩模版，制得置于n型寬帶隙半導體基底上的歐姆接觸電極。

7.一種制備置于n型寬帶隙半導體基底上的歐姆接觸電極的方法，其特征在于包括如下步驟：

清洗n型寬帶隙半導體基底(1)并吹干；

在清洗好的n型寬帶隙半導體基底(1)上光刻出電極圖案；

在n型寬帶隙半導體基底(1)上依次生長第一電極層(2)、第二電極層(3)、第三電極層(4)和第四電極層(5)，所述的第一電極層(2)是Ti金屬層，第二電極層(3)是Ni金屬層，第三電極層(4)是Ti金屬層，第四電極層(5)是熱惰性金屬層；

將不需要沉積的金屬部分剝離，制得置于n型寬帶隙半導體基底上的歐姆接觸電極。

8.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于：還包括將制得的歐姆接觸電極進行退火處理的步驟，所述的退火處理為快速退火熱處理，退火的氣氛為氬氣或氮氣氣氛，退火溫度為：400～800℃，退火時間為：30～150秒。

9.根據權利要求6或7所述的制備方法，其特征在于：所述的第一電極層(2)的厚度為20～70?nm，第二電極層(3)的厚度為30～60?nm，第三電極層(4)的厚度為10～70?nm，第四電極層(5)的厚度為20～90?nm。

10.一種半導體元件，其特征在于：所述半導體元件包含權利要求1-5任一項所述的歐姆接觸電極。