[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310006413.6
• 申請日: 2013-01-08
• 公開（公告）號: CN103915410B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖淼
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底中形成分離開來的至少兩個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面高于所述半導(dǎo)體襯底的表面；

在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的所述半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層；

利用光刻形成光刻膠掩模，利用所述光刻膠掩模刻蝕所述多晶硅層，使得所述多晶硅層形成電可編程熔絲結(jié)構(gòu)；

其中，所述電可編程熔絲結(jié)構(gòu)由兩個電極部和位于兩電極部之間的熔絲部組成，所述熔絲部具有至少一個臺階部，所述臺階部由所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體襯底表面的絕緣層的高度差構(gòu)成，所述臺階部位于兩淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底上的絕緣層上；

其中，在所述半導(dǎo)體襯底上形成分離開來的至少兩個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的工藝包括：

在所述半導(dǎo)體襯底上形成墊氧化層；

在所述墊氧化層上形成氮化硅層；

利用光刻和刻蝕工藝，在所述氮化硅層、墊氧化層和半導(dǎo)體襯底中形成至少兩個互相分離開的隔離溝槽；

沉積氧化硅層，使之填滿所述隔離溝槽并高于所述氮化硅層；

化學(xué)機(jī)械研磨所述氧化硅層直至露出所述氮化硅層；

去除氮化硅層，則形成好所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面高于所述墊氧化層的表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，刻蝕所述多晶硅層使之形成電可編程熔絲結(jié)構(gòu)之后，還包括在所述電可編程熔絲結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻的步驟。

3.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括熔絲區(qū)和晶體管區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成墊氧化層；

在所述氧化硅層上形成氮化硅層；

利用光刻和刻蝕工藝在所述氮化硅層、氧化硅層和半導(dǎo)體襯底上形成隔離溝槽，其中，在所述熔絲區(qū)中包括至少兩個互相分離開的隔離溝槽；

形成氧化硅層，使之填滿所述隔離溝槽并高于所述氮化硅層；

化學(xué)機(jī)械研磨所述氧化硅層直至露出所述氮化硅層；

去除氮化硅層；

沉積多晶硅層；

利用光刻和刻蝕工藝刻蝕所述多晶硅層，以在所述熔絲區(qū)的兩隔離溝槽上和兩隔離溝槽之間形成電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，在所述晶體管區(qū)形成柵極結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，形成好電可編程熔絲結(jié)構(gòu)以及所述柵極結(jié)構(gòu)之后，還包括在所述電可編程熔絲結(jié)構(gòu)和所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成側(cè)墻的步驟。

5.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件的制作方法來制作，所述半導(dǎo)體器件包括由兩個電極部和位于兩電極部之間的熔絲部組成的電可編程熔絲結(jié)構(gòu)，所述熔絲部具有至少一個臺階部；

所述電可編程熔絲結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體襯底上，所述半導(dǎo)體襯底中包括至少兩個相互分離的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

所述半導(dǎo)體襯底表面形成有絕緣層，其中，位于淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的所述絕緣層的表面低于所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的表面；

所述兩個電極部分別位于兩個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之上，所述熔絲部位于所述兩個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的絕緣層上且與兩電極部互相連接；

其中，所述臺階部由所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體襯底表面的絕緣層的高度差構(gòu)成，所述臺階部位于兩淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體襯底上的絕緣層上。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述絕緣層為墊氧化層。

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電可編程熔絲結(jié)構(gòu)的周圍具有側(cè)墻。

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述電可編程熔絲結(jié)構(gòu)由多晶硅層構(gòu)成。