[發明專利]閃存校驗存儲方法無效
| 申請號: | 201310000413.5 | 申請日: | 2013-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN103268266A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發明(設計)人: | 王媛媛 | 申請(專利權)人: | 蘇州懿源宏達知識產權代理有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/07 | 分類號: | G06F11/07 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 閃存 校驗 存儲 方法 | ||
技術領域
本發明涉及數據存儲領域,特別涉及一種閃存校驗存儲方法。
背景技術
在服務器設備與終端設備之間或計算機設備內部裝置之間進行數據傳送時,特別需要用到存儲設備作為緩沖設備。目前比較常見存儲設備有閃存閃存和電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM),這兩種存儲設備分別具有以下優缺點:
首先,閃存的優點是容量大且價格低;缺點是擦寫速度慢,而且必須先擦后寫,每次擦除的最小單位為一個BANK,即64KB。而且單位存儲空間可擦寫次數少,約為10萬次;
其次,EEPROM的缺點是容量小且價格高;優點是擦寫速度快,可單個字節擦寫,而且單位存儲空間的可擦寫次數多,可達到100萬次。
現有的存儲設備在存儲數據時,一般至少有兩部分數據需要存儲:程序部分和用戶數據部分。存儲設備出廠后,程序部分一般不會再改變,除非進行軟件升級,因此一般都會選擇閃存作為程序部分的存儲設備。而用戶數據部分經常會被用戶修改,對存儲設備的可擦寫次數和穩定性有較高的要求。
但是,如果為考慮成本而采用閃存存儲用戶數據,則會存在以下問題:閃存擦寫速度慢,而且大部分SPI閃存必須以BANK(64KB)為最小擦除單位,一次擦除要100ms以上,擦除次數過多的話,勢必會影響閃存存儲設備的使用壽命,而且,對數據進行存儲時,速度也較慢。
另一方面,由于意外斷電等特殊原因會造成的閃存存儲設備出現壞塊,壞塊的出現會對閃存存儲設備的存儲造成不可估量的損失,因此,需要一種方法避免由于壞塊的出現造成的存儲失敗。
發明內容
為了解決上述問題,本發明的一個目的在于提供一種閃存校驗存儲方法,一方面通過在閃存存儲器中設置校驗單元,并在校驗單元中存儲鏈表和當前節點地址,使得避免在同一塊或同一部分塊上連續擦除,減少壞塊的出現。
本發明的再一目的在于是提供閃存壞塊的校驗功能,通過在存儲數據前校驗閃存中存儲單元的所有存儲塊,并刪除鏈表中的所有壞塊,從而避免由于壞塊造成的閃存存儲失敗。
為了實現上述目的,本發明公開了一種閃存校驗存儲方法,所述閃存包括校驗單元和存儲單元,所述存儲單元包括多個存儲塊,所述多個存儲塊用于存儲待存儲數據,所述校驗單元用于存儲一鏈表和當前節點地址,所述鏈表中的每一節點包括數據域和指針域,所述數據域存儲所屬節點所對應的除壞塊以外的存儲塊的物理地址,所述指針域存儲所屬節點在所述鏈表中的下一節點的地址,所述當前節點地址指示數據域存儲有最后存儲數據的塊的物理地址的節點的地址,所述方法包括:校驗鏈表中每一節點的數據域存儲的物理地址所對應的存儲塊;從鏈表中刪除數據域中存儲有壞塊的物理地址的節點;將待存儲數據以存儲單元中塊的大小為單位劃分為N個數據塊,其中N為大于或等于1的整數;將待存儲數據存儲到存儲單元的N個存儲塊中,所述N個存儲塊由所述鏈表和所述當前節點地址確定;更新所述當前節點地址,使得所述當前節點地址指示數據域存儲有最后存儲數據的塊的物理地址的節點的地址。
根據本發明的一個方面,其中所述N個存儲塊由所述鏈表和所述當前節點地址確定包括:確定所述當前節點地址指示的地址對應的節點的后N個節點的數據域存儲的物理地址對應的存儲塊為所述N個存儲塊中的第N塊。
根據本發明的另一方面,其中所述鏈表中的所有節點與所述存儲單元中的除壞塊外的所有存儲塊呈一一映射關系。
根據本發明的另一方面,其中所述鏈表是循環鏈表。
根據本發明的另一方面,其中當在校驗單元的鏈表的最后一個節點的數據域中存儲的物理地址對應的存儲塊中存儲數據后,如果還有需要存儲的數據,則接著通過首節點地址找到鏈表的第一個節點,并在第一個節點的數據域中存儲的物理地址對應的存儲塊中存儲數據。
本發明的效果在于:
一方面,能夠避免在同一塊或同一部分塊上連續擦除,導致同一塊或同一部分塊的擦除次數較之其它塊提前超出最大擦除次數,由此可減少壞塊的提前出現。
另一方面,能夠避免由于壞塊造成的閃存存儲失敗,使得存儲數據之前確保鏈表中指示的所有塊都是有效塊。
附圖說明
所包括的附圖用于進一步理解本發明,其作為說明書的一個組成部分并與說明書一起解釋本發明的原理,在附圖中:
圖1示出了本發明閃存的結構框圖;
圖2示出了本發明一實施例的方法流程圖;
圖3示出了本發明另一實施例的方法流程圖;
圖4示出了本發明閃存存儲器中校驗單元中存儲的循環鏈表的示意圖。
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