[發明專利]基于納米結構的光學堆及具有該光學堆的顯示器有效
| 申請號： | 201280065984.0 | 申請日： | 2012-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN104067351B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 代海霞;邁克爾·A·斯貝德;杰弗瑞·沃克 | 申請（專利權）人： | 凱姆控股有限公司 |
| 主分類號： | H01B1/16 | 分類號： | H01B1/16;G06F3/041;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉雙 |
| 地址： | 維爾京群島*** | 國省代碼： | 維爾京群島;VG |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光學堆 納米結構 透明導電膜 顯示設備 漫反射 顯示器 | ||
1.光學堆，包括：
至少一個納米結構層；
至少一個基底，與所述納米結構層相鄰，其中所述納米結構層包括多個導電納米結構，以及當從所述光學堆的入射光側觀察時，所述入射光的漫反射小于所述入射光的6％；以及
位于所述納米結構層中的導電區域和非導電區域，所述導電區域具有第一片電阻，所述非導電區域具有第二片電阻，其中所述第二片電阻至少比所述第一片電阻大103倍；
其中所述納米結構層還包括嵌有所述多個導電納米結構的絕緣介質，所述絕緣介質為HPMC，所述多個導電納米結構為銀納米線，以及所述HPMC與所述多個導電納米結構的重量比為1:1，所述納米結構層具有小于100ohms/sq的該第一片電阻；
其中所述光學堆被定向，以使得所述多個導電納米結構比所述基底更鄰近于所述入射光，還包括直接位于所述納米結構層之上的上涂覆層，所述上涂覆層為具有1.45或更小的折射率的低折射率OCA層，所述低折射率OCA層具有提供低折射率層和結合的雙功能。
2.如權利要求1所述的光學堆，其中各納米結構不具有有機涂覆層或具有低折射率有機涂覆層。
3.如權利要求1-2中任一項所述的光學堆，還包括插設在所述基底與所述納米結構層之間的下涂覆層，所述下涂覆層直接位于所述納米結構層之下，其中所述下涂覆層的折射率高于所述絕緣介質的折射率以及所述基底的折射率。
4.如權利要求3所述的光學堆，其中所述下涂覆層具有至少1.65的折射率。
5.如權利要求4所述的光學堆，其中所述下涂覆層包括TiO2、聚酰亞胺、SiO2或ZnO2。
6.如權利要求1-2、4-5中任一項所述的光學堆，還包括最外側覆蓋件層，所述最外側覆蓋件層最鄰近于所述入射光并具有至少1.7的折射率。
7.如權利要求6所述的光學堆，其中所述最外側覆蓋件層為TiO2層。
8.一種顯示器，包括如權利要求1-7中任一項所述的光學堆以及LCD模塊，其中所述光學堆和所述LCD模塊限定空間，其中所述空間填充有具有大于1的折射率的透明光學結合材料或折射率流體。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于凱姆控股有限公司，未經凱姆控股有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280065984.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
