[發明專利]基板處理裝置以及基板處理方法有效
| 申請號: | 201280063629.X | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN103999196A | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 相原友明;光吉一郎;前川直嗣;土谷慶一 | 申請(專利權)人: | 大日本網屏制造株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅會;向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 以及 方法 | ||
技術領域
本發明涉及用于處理基板的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術
以往,使用利用純水、藥液等處理液對基板進行處理的基板處理裝置,例如在日本特開2001-135710號公報的基板處理裝置中,相互平行地排列的直立狀態的多個基板配置在處理槽內,通過處理液對多個基板統一進行處理。
此外,在日本特開2000-150609號公報中公開了基板搬入搬出裝置,基板搬入搬出裝置具有:載置部,其載置有用于容置基板的容器;移載部,其從容器移載基板。載置部具有多個載置單元,各載置單元能夠自由裝卸地安裝在移載部上。在修理維護載置單元時,從移載部卸下該載置單元,移載部中的安裝有載置單元的區域被輥式薄板遮擋。
但是,在基板處理裝置中在處理槽內對基板進行處理時,為了防止處理液飛散和處理液環境氣體擴散,優選堵塞處理槽的上部開口。例如考慮采用如下機構(所謂具有雙開門狀結構的機構)來在進行處理時堵塞上部開口,即,設置有分別配置在上部開口的左半部分以及右半部分的一組門,分別將設置在上部開口的左右兩端的鉸鏈作為軸來向相反方向旋轉,從而對上部開口進行開閉。但是在這樣的機構中,需要隨著上部開口開閉而使門通過的空間,從而實際上使基板處理裝置變大。
發明內容
本發明涉及基板處理裝置,其目的在于使基板處理裝置小型化。
本發明的基板處理裝置,具有:處理槽,通過處理液對基板進行處理,并且具有上部開口;蓋部,具有卷繞有連續的呈片狀或者波紋狀的連續構件的兩端部的一對輥,在所述連續構件上形成有作為開口的通過口,所述連續構件的處于所述一對輥之間的部位即中間部在所述上部開口的附近與所述上部開口的開口面平行地配置,通過使所述一對輥旋轉,使所述中間部沿著所述開口面移動;支撐部,至少在所述處理槽內支撐呈直立狀態的基板;升降部,使所述基板在所述處理槽內的處理位置和所述處理槽外的退避位置之間進行升降;控制部,在要使所述基板在所述處理位置和所述退避位置之間進行升降時,使所述通過口配置在所述上部開口的正上方,使所述基板通過所述通過口以及所述上部開口,在所述處理槽內要對所述基板進行處理時,使所述通過口配置在從所述上部開口的正上方偏離的位置上,從而通過所述連續構件堵塞所述上部開口。根據本發明,能夠使基板處理裝置小型化。
在本發明的一個優選的方式中,所述支撐部具有:爪部,其從下方支撐相互平行地排列且呈直立狀態的多個基板,并且在與所述多個基板的主面相垂直的前后方向上長,支撐主體,其固定所述爪部的端部,并且從所述爪部的固定位置向上方延伸;設置在所述處理槽的外部的所述升降部使所述支撐主體進行升降;在所述處理槽內對基板進行處理時,所述中間部沿著所述前后方向移動,所述通過口的邊緣接近所述支撐主體,從而通過所述連續構件大體上堵塞所述上部開口。
在上述方式中,優選地,所述支撐主體為在上下方向長且與所述前后方向相垂直的板狀構件,在所述處理槽內對基板進行處理時,所述通過口的與所述前后方向相垂直的直線狀邊緣接近所述板狀構件的一主面,從而所述上部開口的被所述板狀構件隔開的所述一主面側的部分被堵塞;所述基板處理裝置還具有遮擋部,該遮擋部堵塞所述上部開口的所述板狀構件的另一主面側的部分。由此,能夠更可靠地抑制處理液飛散以及處理液環境氣體擴散。
在上述方式中,所述基板處理裝置還可以具有另一個蓋部,該另一個蓋部具有與所述蓋部相同的結構,該另一個蓋部的連續構件的處于一對輥之間的中間部在所述蓋部的所述中間部的上方附近沿著所述上部開口的所述開口面移動。此時,所述支撐主體為在上下方向上長且與所述前后方向相垂直的板狀構件,在所述處理槽內對基板進行處理時,使所述蓋部的所述通過口的與所述前后方向相垂直的直線狀邊緣接近所述板狀構件的一主面,從而所述上部開口的被所述板狀構件隔開的所述一主面側的部分被堵塞,使所述另一個蓋部的連續構件的通過口的與所述前后方向相垂直的直線狀邊緣接近所述板狀構件的另一主面,從而所述上部開口的被所述板狀構件隔開的所述另一主面側的部分被堵塞。由此,能夠更可靠地抑制處理液飛散以及處理液環境氣體擴散。
本發明還涉及在基板處理裝置中進行的基板處理方法。
參照附加的附圖,通過下面對本發明進行的詳細說明,明確上述目的以及其它目的、特征、方式以及優點。
附圖說明
圖1是示出基板處理裝置的結構的圖。
圖2是示出基板處理裝置的局部立體圖。
圖3是示出基板處理裝置的功能結構的框圖。
圖4是示出處理基板的動作的流程的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





