[發明專利]浸入式中子成像設備以及使用所述設備的成像方法有效
| 申請號： | 201280057140.1 | 申請日： | 2012-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN103946338B | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | E·西蒙 | 申請（專利權）人： | 原子能和能源替代品委員會 |
| 主分類號： | G21K4/00 | 分類號： | G21K4/00;C09K11/02;C09K11/77;G01N21/62;G01N23/05;G01T3/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 浸入 中子 成像 設備 以及 使用 方法 | ||
1.一種浸入在包含待分析的樣本的介質中的用于中子成像的設備，其特征在于，所述設備包括：
第一轉換器(C1)，所述第一轉換器包括第一材料，所述第一材料能夠通過該材料的中子激發將熱中子輻射轉換為剩余貝塔輻射；
第二轉換器(C2)，所述第二轉換器包括第二材料，所述第二材料能夠通過捕捉來吸收熱中子輻射并且能夠將剩余貝塔輻射轉換為光輻射，所述第二轉換器與所述第一轉換器接觸；
支撐物(S3)，所述支撐物包括氫化物質，所述第二轉換器位于所述氫化物質上，所述支撐物對于所述光輻射是透明的。
2.根據權利要求1所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述第一材料包括鏑。
3.根據權利要求1和2中任意一項所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述第二轉換器包括閃爍體材料，所述閃爍體材料是包括釓的化合物。
4.根據權利要求3所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述閃爍體材料是包括Gd2O2S類型的釓的化合物。
5.根據權利要求4所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述閃爍體材料是包括Tb摻雜的Gd2O2S類型的釓的化合物。
6.根據權利要求3所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述閃爍體材料混有有機粘合劑。
7.根據權利要求1所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述第一轉換器的厚度在一百微米的量級。
8.根據權利要求1所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述第二轉換器的厚度在十微米的量級。
9.根據權利要求1所述的用于中子成像的設備，其特征在于，所述支撐物包括具有聚甲基丙烯酸甲酯類型的氫化物質的透明材料，所述支撐物具有的厚度在幾毫米的量級。
10.一種浸入在介質中的用于中子成像的防漏系統，其特征在于，所述系統包括如權利要求1至9中的一項所述的設備以及對于所述介質防漏的艙(B)，所述艙(B)包含第一轉換器(C1)、第二轉換器(C2)以及支撐物(S3)。
11.一種浸入在介質中的用于中子成像的方法，所述方法使用如權利要求10所述的系統，其特征在于，所述方法包括下述步驟：
-所述系統浸入包括待分析的樣本的液體介質；
-中子流對所述系統的照射；
-從所述液體介質移出所述系統；
-從所述防漏艙移出所述轉換器；
-記錄所述第二轉換器(C2)產生的閃爍。
12.根據權利要求11所述的中子成像方法，其特征在于，所述待分析的樣本是核燃料。
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