[發(fā)明專利]用于流量控制器的原位校正的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280055868.0 | 申請日: | 2012-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103930971A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 巴拉拉貝·N·穆罕默德;約翰·W·萊恩;麻里烏斯·J·格雷戈爾;丹·約瑟夫·希利 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 流量 控制器 原位 校正 方法 | ||
1.一種對流量控制器進行原位校正的方法,所述流量控制器耦合至處理腔室,所述方法包含以下步驟:
提供流量控制器,所述流量控制器經配置以:當基于計算出的第一關系而設定為第一數值的設定點時,提供具有第一數值的流量的第一氣體,所述計算出的第一關系通過使用不同于所述第一氣體的標準氣體來確定;
從處于所述流量控制器的相對應的多個數值的所述設定點而確定的所述第一氣體的多個數值的所述流量中,確定對于所述第一氣體的所述流量和所述設定點之間的實際的第一關系,其中所述多個數值的每一數值的所述流量是從將所述第一氣體流動經過處于所述多個數值的相對應的數值的所述設定點的所述流量控制器來確定;及
基于所述實際的第一關系,利用所述第一數值的所述流量從所述流量控制器流動所述第一氣體。
2.如權利要求1所述的方法,其中用于所述第一氣體的所述流量的所述多個數值是由耦合至所述處理腔室的校正裝置來確定。
3.如權利要求2所述的方法,其中使用所述校正裝置來確定用于所述第一氣體的所述流量的所述多個數值的步驟進一步包含以下步驟:
對于處于所述多個數值的每一相對應的數值的所述設定點的所述第一氣體,測量壓力上升的速率;及
從處于所述多個數值的每一相對應的數值的所述設定點的壓力上升的所述速率,確定用于所述第一氣體的所述多個數值的每一數值的所述流量。
4.如權利要求1所述的方法,其中確定所述計算出的第一關系的步驟進一步包含以下步驟:
從用于所述標準氣體的所述流量的多個數值和所述流量控制器的所述設定點的相對應的多個數值中,確定對于所述標準氣體的流量和設定點之間的實際的第二關系;及
運用氣體校正因子以調整所述實際的第二關系,用于與所述第一氣體一同使用以形成所述計算出的第一關系。
5.如權利要求4所述的方法,其中基于所述實際的第一關系利用所述第一數值的所述流量從所述流量控制器流動所述第一氣體的步驟進一步包含以下步驟:
確定第二數值的所述設定點,所述第二數值的所述設定點不同于所述第一數值的所述設定點,所述第一數值的所述設定點基于所述實際的第一關系,產生用于所述第一氣體的所述第一數值的所述流量;及
作為輸入數值,運用所述第二數值的所述設定點至計算出的第一關系以提供輸出數值,所述輸出數值等于:用于所述第一氣體從流量控制器而具有的所述第一數值的所述流量。
6.如權利要求4所述的方法,其中基于所述實際的第一關系利用所述第一數值的所述流量從所述流量控制器流動所述第一氣體的步驟進一步包含以下步驟:
利用在所述流量控制器上的所述實際的第一關系來替換所述計算出的第一關系;及
基于所述實際的第一關系,設定所述流量控制器為所述第一數值的所述設定點,以利用所述第一數值的所述流量從所述流量控制器流動所述第一氣體。
7.一種用于處理基板的設備,所述設備包含:
處理腔室,所述處理腔室具有處理空間;
第一流量控制器,所述第一流量控制器耦合至所述處理腔室以提供第一氣體至所述處理空間,其中所述第一流量控制器經配置以:當基于計算出的第一關系而設定為第一數值的設定點時,提供具有第一數值的流量的所述第一氣體,所述第一關系通過使用不同于所述第一氣體的標準氣體來確定;及
控制器,所述控制器耦合至所述處理腔室,并且所述控制器包含計算機可讀取媒體,所述計算機可讀取媒體具有存儲于所述計算機可讀取媒體上的指令,當所述指令由所述控制器執(zhí)行時,使得用于將氣體流動進入所述處理空間的第一方法被執(zhí)行,所述方法包含以下步驟:
從處于所述第一流量控制器的相對應的多個數值的所述設定點而確定的所述第一氣體的多個數值的所述流量,確定對于所述第一氣體的所述流量和所述設定點之間的實際的第一關系,其中所述多個數值的每一數值的所述流量是從將所述第一氣體流動經過處于所述多個數值的相對應的數值的所述設定點的所述第一流量控制器來確定;及
基于所述實際的第一關系,利用所述第一數值的所述流量從所述第一流量控制器流動所述第一氣體。
8.如權利要求7所述的設備,所述設備進一步包含:
校正裝置,所述校正裝置耦合至在所述第一流量控制器和所述處理空間之間的所述設備,以確定用于所述第一氣體的所述流量的所述多個數值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





