[發明專利]用于鎂植入物材料上的生物相容性等離子體電解涂層的貧電解質

有效

• 申請號: 201280054582.0
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN104023759A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: T.伊姆溫克里伊德;P.庫澤;S.貝克;D.巴納杰;T.施瓦茲
• 申請（專利權）人: 新特斯有限責任公司
• 主分類號: A61L31/02
• 分類號: A61L31/02;A61L31/08;A61L31/14;C25D9/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 趙勝寶;梁謀

1.?一種在鎂及其合金上產生陶瓷層的方法，包括以下步驟：

將植入物和金屬片浸入水性電解質浴，所述水性電解質浴基本上由以下物質組成：氨、磷酸氫二銨和尿素，并且其中所述植入物由鎂或其合金制成；

通過在所述植入物、所述金屬片之間并且透過所述水性電解質浴通電流進行陽極氧化，其中所述植入物連接到電流源的正極，并且所述金屬片連接到所述電流源的負極；

施加經選擇的電流密度以在所述植入物上形成火花，從而在所述植入物上形成陶瓷層。

2.?根據權利要求1所述的方法，其中在25體積%的所述氨濃度的范圍為1.0mol/L至6.0mol/L；所述磷酸氫二銨濃度的范圍為0.05mol/L至0.2mol/L；以及所述尿素濃度的范圍為0.01mol/L至1.0mol/L。

3.?根據權利要求1和2中任一項所述的方法，其中所述水性電解質浴具有范圍為10.3至11.6的pH值以及范圍為18℃至22℃的溫度。

4.?根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述電流密度為至少1A/dm²。

5.?根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中所述電流密度的范圍為1A/dm²至3A/dm²。

6.?根據權利要求1至5中任一項所述的方法，其中通過電絕緣不待被涂布的表面區域將所述涂層選擇性施加到所述植入物。

7.?根據權利要求6所述的方法，其中電絕緣不待被涂布的區域通過在將所述植入物浸入所述水性電解質浴之前向不待被涂布的區域表面施加漆、膜或箔等來實現。

8.?一種具有通過根據權利要求1至7中任一項所述的方法制備的陶瓷層的鎂植入物，其中所述陶瓷層為氧化物、氫氧化物或磷酸鹽陶瓷層或其組合，并且具有最多50μm的厚度。

9.?一種具有通過根據權利要求1至7中任一項所述的方法制備的陶瓷層的鎂植入物，其中所述陶瓷層具有范圍為2μm至20μm的厚度。

10.?一種具有通過根據權利要求1至7中任一項所述的方法制備的陶瓷層的鎂植入物，其中所述陶瓷層選自：MgO、Mg(OH)₂、Mg₃(PO₄)₂以及鎂的合金元素的氧化物。

11.?一種具有通過根據權利要求1至7中任一項所述的方法制備的陶瓷層的鎂植入物，其中所述陶瓷層改善了骨組織粘附性，并且基本上不含損害生物相容性的物質。

12.?一種具有通過根據權利要求1至7中任一項所述的方法制備的陶瓷層的鎂植入物，其中所述陶瓷層不含胺分解產物。

13.?一種具有生物相容性陶瓷層的鎂植入物，所述生物相容性陶瓷層基本上不含損害所述生物相容性陶瓷層的生物相容性的材料，所述生物相容性陶瓷層具有最多50μm的厚度，其中所述生物相容性陶瓷層包含選自以下的組分：MgO、Mg(OH)₂、Mg₃(PO₄)₂、鎂的合金元素的氧化物以及它們的組合。

14.?根據權利要求8至13中任一項所述的鎂植入物，其中所述植入物在浸入模擬體液中時，與沒有所述陶瓷層的鎂植入物相比延緩并降低了氫釋放。

15.?根據權利要求14所述的具有陶瓷層的鎂植入物，其中經過最長40天的浸入周期，相對于鎂的經腐蝕質量而言，與沒有所述陶瓷層的鎂植入物相比，所述氫釋放降低了10%至50%。