[發明專利]太陽能電池的制造方法以及太陽能電池

有效

• 申請號: 201280054056.4
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN103907208A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 酒田現示;橫尾秀和;富田真人;鈴木英夫
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 張路;王琦

技術領域

本發明涉及一種適合使用于太陽能電池的制造方法以及太陽能電池的技術。

本申請基于2011年11月29日申請的特愿2011-260064號主張優先權，在此援用其內容。

背景技術

以往，通過將磷或砷等雜質導入到單晶硅基板或多晶硅基板從而形成pn結來作為太陽能電池。一般已知在這種太陽能電池中，當由pn結形成的電子和空穴再結合時，轉換效率(發電效率)降低。由此，提出了選擇發射極結構，該選擇發射極結構為當導入雜質時，相比其他部分提高被導入到與表面電極相接觸的部分的雜質的濃度，并將沒有電極的部分中的發射極層局部性地設為高電阻的結構。在這種選擇發射極結構中的雜質導入中，有時會使用在半導體器件的制造中使用的離子注入，并通過掩膜來設定雜質注入區域(離子照射區域)。

進而，為了成為選擇發射極結構而形成表面電極，但該表面電極為了不使轉換效率降低而設置在離子注入的雜質區域內。

因此，在這些處理中，需要用于定位基板位置的對準，存在至少通過基板的兩邊來定位其位置的方法。

另外，還存在通過使基板周圍接觸等來進行定位的方法(專利文獻1)。

專利文獻1：特表2010-539684號公報

但是，太陽能電池制造用的基板與半導體基板不同，其外形規格為一邊156mm左右的矩形，與此相對，實際上多具有±500μm左右這樣大小的誤差。

另外，這種實質上被設為矩形的基板的兩邊的角度也未形成90°，與應為直角相對，存在±0.3°這樣大的尺寸公差。

因此，在雜質注入區域(離子注入區域)與表面電極的各自的形成工序中，有可能會發生上述500μm的一倍即1000μm左右或這以上的誤差。為了防止表面電極從離子注入區域中伸出，會形成比離子注入區域小得多的表面電極，或者形成比表面電極大得多的離子注入區域。在這種情況下，存在因電極過細或者增加不必要的離子注入區域等而導致轉換效率降低的問題。

為了解決這一問題，還考慮了在基板上設置兩點以上的對準標記，在離子注入與表面電極形成工序這兩個工序中以該對準標記為基準來進行處理。據此，能夠以50μm以下的精度來進行對準，但是增加了形成對準標記的工序，其結果是存在導致最想避免的制造成本增加的問題。

進而，作為外形規格，除了一邊156mm以外，還存在一邊125mm左右的外形規格，存在當以基板周邊為基準來進行對準時，無法對應處理位置不同的基板的問題。并且還存在想要與這些不同規格的基板對應地進行同一處理的要求。

發明內容

本發明的方案欲實現以下目的。

1.避免制造成本的增加并實現多個工序間的對準的準確性的提高。

2.即使是外形(輪廓)形狀的尺寸偏差較大的太陽能電池用的基板，也能夠維持對準的準確性來進行多個工序間的處理。

3.防止因雜質區域與表面電極的形成而引起的轉換效率的降低。

4.能夠對應不同大小規格的基板。

本發明的一個方案的太陽能電池的制造方法，所述太陽能電池具有在實質上為矩形的硅基板上設置的雜質區域以及與所述雜質區域重疊設置的電極，其特征在于，所述太陽能電池的制造方法具有：雜質注入工序，形成所述雜質區域；電極形成工序，形成所述電極；第一中心對準工序，設定所述基板的中心位置作為相對于所述雜質注入工序的處理的基準位置；以及第二中心對準工序，設定所述基板的中心位置作為相對于所述電極形成工序的處理的基準位置。

在第一中心對準工序中，能夠根據通過位于與所述基板的被處理面相反側的拍攝單元對基板外形進行拍攝而得到的圖像，計算基板中心位置。

另外，在第二中心對準工序中，還能夠采用根據通過位于所述基板的被處理側的拍攝單元對基板外形進行拍攝而得到的圖像，計算基板中心位置的單元。

另外，在所述雜質注入工序中，能夠通過離子注入來注入雜質。

另外，在所述電極形成工序中，優選通過印刷法來形成所述電極。

另外，在所述第一或第二中心對準工序中，能夠將所述基板外形的相鄰兩邊的規定部分延長并求出頂點，并且同樣地求出其對角位置的頂點，將作為連結這兩個頂點的直線的對角線的中點確定為基板中心位置。