[發(fā)明專利]用于分割半導(dǎo)體器件復(fù)合件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280053116.0
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103889643A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉多·韋斯;艾伯特·配希塔萊爾
• 申請（專利權(quán)）人: 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/402;B23K26/40;H01L33/00;H01L33/38;B23K26/364
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;張春水

1.一種用于分割半導(dǎo)體器件復(fù)合件(1)的方法，所述半導(dǎo)體器件復(fù)合件具有帶有主面(50)的載體(5)和設(shè)置在所述主面(50)上的半導(dǎo)體層序列(2)，其中

-借助于第一激光切割在所述半導(dǎo)體器件復(fù)合件(1)中構(gòu)成分離槽(4)，其中所述分離槽(4)將所述半導(dǎo)體器件復(fù)合件(1)在垂直于所述主面(50)伸展的豎直方向上僅部分地分割；并且

-將所述半導(dǎo)體器件復(fù)合件(1)沿著所述分離槽(4)借助于激光以分割切割的方式完全地分割。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述半導(dǎo)體器件復(fù)合件具有設(shè)置在所述載體的背離所述半導(dǎo)體層序列的一側(cè)上的金屬層(7)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，

其中所述分離槽的底面(40)在所述分割切割之前在豎直方向上設(shè)置在所述金屬層和所述主面之間。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中所述半導(dǎo)體層序列借助于連接層(34)固定在所述載體上并且所述第一激光切割將所述連接層完全地分割。

5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中所述第一激光切割延伸進(jìn)入所述載體中。

6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中在所述第一激光切割和所述分割切割之間沿著所述分離槽進(jìn)行第二激光切割，所述第二激光切割僅部分地分割所述載體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，

其中在所述第二激光切割和所述分割切割之間沿著所述分離槽進(jìn)行第三激光切割，所述第三激光切割僅部分地分割所述載體。

8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中將所述半導(dǎo)體層序列在所述第一激光切割之前在器件區(qū)域(23)中結(jié)構(gòu)化。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，

其中所述分離槽在相鄰的器件區(qū)域之間伸展。

10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中將所述半導(dǎo)體層序列外延地沉積在生長襯底上并且將所述生長襯底移除。

11.在參考權(quán)利要求8或9的情況下根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，

其中在將所述生產(chǎn)襯底移除之后構(gòu)成所述器件區(qū)域。

12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中所述載體基于半導(dǎo)體材料。

13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的方法，

其中所述載體具有至多200μm的厚度。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中

-所述半導(dǎo)體層序列借助于連接層(34)固定在所述載體上；

-所述第一激光切割延伸進(jìn)入所述載體中；

-所述半導(dǎo)體器件復(fù)合件具有設(shè)置在所述載體的背離所述半導(dǎo)體層序列的一側(cè)上的金屬層(7)；并且

-所述分離槽的底面(40)在所述分割切割之前在豎直方向上設(shè)置在所述金屬層和所述主面之間。