[發(fā)明專利]切斷性優(yōu)秀的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280053079.3
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103906819A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金章淳;趙顯珠;徐周用
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金華奧斯有限公司
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C08J5/18;C08J7/04;H01L21/301
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;楊生平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基材膜的一側(cè)表面形成有粘結(jié)層的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用粘結(jié)膜。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體晶片保護(hù)用粘結(jié)膜為晶片形狀，切割膜時需要任何條件下都能無抵抗地充分切割，這種性質(zhì)叫作切斷性或切割性。關(guān)于此，實際存在晶片涂敷后無法確保切割性且晶片變薄的情況下大量發(fā)生彎曲的問題。韓國公開專利第2003-0061300號記載了基于溫度的剛度，但依然未能提出解決如上所述的問題的方法。

通常，用作晶片保護(hù)膜的粘結(jié)劑的厚度薄，因此對切割性的作用不大，而用作基材膜的高分子膜的作用卻非常大，當(dāng)前急需發(fā)明出能夠確保基材膜的切割性來增大晶片芯片的收率的方案。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明的目的在于，提供晶片研磨時所使用的具有優(yōu)秀的切割性和切斷性的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜及其制備方法。

本發(fā)明的另一目的在于，提供即使晶片變薄也能防止彎曲現(xiàn)象及晶片的破損現(xiàn)象的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜及其制備方法。

解決問題的手段

為了達(dá)成上述目的，提供半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜，其基材膜的一側(cè)表面形成有粘結(jié)層，其特征在于，上述基材膜的拉伸強度為2～10kg/mm²且斷裂延伸率為50～200％，上述粘結(jié)層的凝膠含量為80％以上。

并且為了達(dá)成本發(fā)明的目的，提供半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜的制備方法，其特征在于，包括：形成基材膜的工序；控制上述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的工序；在上述基材膜的一側(cè)表面形成粘結(jié)層的工序；以及對形成上述粘結(jié)層的基材膜進(jìn)行紫外線(UV)固化的工序。

發(fā)明的效果

基材膜的一側(cè)表面形成有粘結(jié)層的晶片保護(hù)用粘結(jié)膜能夠確保切割?性及切斷性，在高溫也不發(fā)生溶解等現(xiàn)象，因而晶片研磨時能夠提高收率。

而且，晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜的制備方法包括控制拉伸強度和斷裂延伸率的步驟，因此能夠確保對于切割的抵抗性得以減少且維持干凈面的切割性。并且晶片變薄的情況下，將彎曲現(xiàn)象最小化的同時能夠防止晶片的破損現(xiàn)象。

具體實施方式

參照附圖詳細(xì)說明的以下實施例會讓本發(fā)明的優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)這些優(yōu)點和特征的方法更加明確。但是，本發(fā)明不局限于以下所公開的實施例，能夠以互不相同的各種方式實施，本實施例只用于使本發(fā)明的公開內(nèi)容更加完整，有助于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員完整地理解本發(fā)明的范疇，本發(fā)明僅由發(fā)明要求保護(hù)范圍定義。在說明書全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的結(jié)構(gòu)要素。

以下，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

晶片表面保護(hù)用粘結(jié)膜

本發(fā)明提供基材膜的一側(cè)表面形成有粘結(jié)層的半導(dǎo)體晶片保護(hù)用粘結(jié)膜。

為了上述基材膜的良好的切割性，拉伸強度及斷裂延伸率應(yīng)該在最佳范圍內(nèi)。這時上述基材膜的拉伸強度可以為2～10kg/mm²且斷裂延伸率可以為50～200％。上述拉伸強度為2～10kg/mm²的情況下，切斷時抵抗性低，能夠確保極其利落的切割性。如果拉伸強度小于2kg/mm²，則基材膜變得柔軟，對切割的抵抗性會變高。并且，如果拉伸強度大于10kg/mm²，則膜自身剝離時沖擊吸收力變低，以致于晶片研磨時變薄而發(fā)生卷曲(curl)。

斷裂延伸率也是重要因素。斷裂延伸率范圍可以是50～200％。如果斷裂延伸率小于50％，相當(dāng)于拉伸強度大，晶片研磨時變薄，因而發(fā)生卷曲的可能性高。并且，如果斷裂延伸率大于200％，則暗示著高分子排列沿其方向拉長，因而對于切割的抵抗性會變大。

上述基材膜，其特征在于，選自由聚氯乙烯(PVC)膜，聚氨基甲酸乙酯膜、聚烯烴膜、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)共聚物膜，乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜構(gòu)成的組中的至少一種基材膜。

上述基材膜的厚度影響膜自身的強度，而且背面加工時也影響晶片破損的防止，因此優(yōu)選地根據(jù)晶片表面高度差及有無凸點電極來選擇適當(dāng)?shù)暮穸取?/p>

基材膜的厚度優(yōu)選為50～300μm左右。特別是可將基材膜的厚度設(shè)成100～200μm左右。如基材膜的厚度極其薄，則膜自身強度變?nèi)酰瑫r粘結(jié)膜無法充分跟蹤晶片表面上的突狀物，因而對突狀物的緊密性不充分，并且研磨晶片的背面時還會發(fā)生在與突狀物相對應(yīng)的晶片的背面發(fā)生凹痕的情況。

如果厚度太厚，則難以制備出粘結(jié)膜，影響生產(chǎn)力，而增加制備費用。