[發明專利]切斷性優秀的半導體晶片表面保護用粘結膜

有效

• 申請號: 201280053079.3
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN103906819A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 金章淳;趙顯珠;徐周用
• 申請（專利權）人: 樂金華奧斯有限公司
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C08J5/18;C08J7/04;H01L21/301
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;楊生平

1.一種半導體晶片表面保護用粘結膜，其基材膜的一側表面形成有粘結層，其特征在于，上述基材膜的拉伸強度為2～10kg/mm²且斷裂延伸率為50～200％，上述粘結層的凝膠含量為80％以上。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片表面保護用粘結膜，其特征在于，上述粘結膜的紫外線照射前的剝離力大于紫外線照射后的剝離力。

3.根據權利要求1所述的半導體晶片表面保護用粘結膜，其特征在于，上述粘結膜的紫外線照射前的剝離力為400～1200g/in，紫外線照射后的剝離力為20～200g/in。

4.根據權利要求1所述的半導體晶片表面保護用粘結膜，其特征在于，上述基材膜是選自由聚氯乙烯膜、聚氨基甲酸乙酯膜、聚烯烴膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸烷基酯共聚物膜構成的組中的至少一種基材膜。

5.根據權利要求1所述的半導體晶片表面保護用粘結膜，其特征在于，上述基材膜的厚度為50～300μm。

6.一種半導體晶片表面保護用粘結膜的制備方法，其特征在于，包括：

形成基材膜的工序；

控制上述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的工序；

在上述基材膜的一側表面形成粘結層的工序；以及

對形成上述粘結層的基材膜進行紫外線固化的工序。

7.根據權利要求6所述的半導體晶片表面保護用粘結膜的制備方法，其特征在于，控制上述基材膜的拉伸強度及斷裂延伸率的工序中，將上述基材膜的拉伸強度控制為2～10kg/mm²，將上述基材膜的斷裂延伸率為50～200％。

8.根據權利要求6所述的半導體晶片表面保護用粘結膜的制備方法，其特征在于，通過輥涂敷法、逆轉輥涂敷法、凹版輥涂敷法、棒涂敷法、逗號涂敷法以及模壓涂敷法中的一種方法，來進行在上述基材膜的一側表面形成粘結層的工序。

9.根據權利要求6所述的半導體晶片表面保護用粘結膜的制備方法，其特征在于，上述粘結膜的紫外線照射前的剝離力為400～1200g/in且紫外線照射后的剝離力為20～200g/in。