[發(fā)明專利]高耐壓半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280049864.1
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN103875069B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山路將晴;澄田仁志
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 俞丹

1.一種高耐壓半導(dǎo)體裝置，包括：

第二導(dǎo)電型阱區(qū)，該第二導(dǎo)電型阱區(qū)形成在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板上，具備邏輯電路形成區(qū)域、以及包圍該邏輯電路形成區(qū)域的耐壓區(qū)域；

第一導(dǎo)電型阱區(qū)，該第一導(dǎo)電型阱區(qū)形成在所述半導(dǎo)體基板上，并包圍所述耐壓區(qū)域；

晶體管，該晶體管包括：第二導(dǎo)電型漏極區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型漏極區(qū)域選擇性地形成在位于所述耐壓區(qū)域與所述邏輯電路形成區(qū)域之間的所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)的表面層中、且雜質(zhì)濃度高于該耐壓區(qū)域；以及第二導(dǎo)電型源極區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型源極區(qū)域選擇性地形成在所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)的表面層中，所述漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域之間的所述耐壓區(qū)域為漂移區(qū)域，所述第一導(dǎo)電型阱區(qū)為基極區(qū)域，

開口部區(qū)域，該開口部區(qū)域局部形成在位于所述漏極區(qū)域與所述邏輯電路形成區(qū)域之間的所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)，且所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)不存在于該開口部區(qū)域在深度方向上的整個區(qū)域；以及

導(dǎo)電路徑，該導(dǎo)電路徑電連接所述漏極區(qū)域與所述邏輯電路形成區(qū)域的邏輯電路，該高耐壓半導(dǎo)體裝置的特征在于，

具有屏蔽層，該屏蔽層形成在所述開口部區(qū)域的表面上所形成的第一絕緣層上，且連接至與所述邏輯電路形成區(qū)域的邏輯電路相連接的電源的負(fù)極側(cè)，

所述導(dǎo)電路徑經(jīng)由第二絕緣層形成在所述屏蔽層上，且跨接在所述開口部區(qū)域上。

2.如權(quán)利要求1所述的高耐壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

包括第二導(dǎo)電型拾取區(qū)域，該第二導(dǎo)電型拾取區(qū)域在位于所述耐壓區(qū)域與所述開口部區(qū)域之間的所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)的表面層中、與所述邏輯電路形成區(qū)域的電源的高電位側(cè)相連接，所述邏輯電路形成區(qū)域形成為與所述漏極區(qū)域相分離，

所述屏蔽層經(jīng)由所述第一絕緣層形成在位于所述漏極區(qū)域與所述第二導(dǎo)電型拾取區(qū)域之間的表面上。

3.如權(quán)利要求2所述的高耐壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

包括第二導(dǎo)電型緩沖區(qū)域，該第二導(dǎo)電型緩沖區(qū)域形成在所述漏極區(qū)域與所述第二導(dǎo)電型拾取區(qū)域之間，并與這兩個區(qū)域相接，具有高于所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)、且低于所述漏極區(qū)域以及所述第二導(dǎo)電型拾取區(qū)域的雜質(zhì)濃度。

4.如權(quán)利要求1所述的高耐壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述開口部區(qū)域的兩端分別到達(dá)所述第一導(dǎo)電型阱區(qū)，使得形成有所述漏極區(qū)域的所述第二導(dǎo)電型阱區(qū)與所述邏輯電路形成區(qū)域相分離。

5.如權(quán)利要求1所述的高耐壓半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述屏蔽層形成為覆蓋整個開口部區(qū)域。