[發明專利]堆積物去除方法有效
| 申請號: | 201280047417.2 | 申請日: | 2012-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN103828029A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 田原慈;西村榮一;松本孝典 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社;株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/304;H01L21/3213;H01L21/76;H01L21/768;H01L27/08 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堆積物 去除 方法 | ||
1.一種堆積物去除方法,其是將在利用蝕刻而形成于基板之上的圖案的表面上堆積的堆積物去除的堆積物去除方法,其特征在于,
該堆積物去除方法包括以下工序:
第1處理工序,將上述基板暴露在含有氟化氫氣體的氣氛中;
氧等離子體處理工序,在上述第1處理工序之后,加熱上述基板并使上述基板暴露在氧等離子體中;以及
第2處理工序,在上述氧等離子體處理工序之后,將上述基板暴露在含有氟化氫氣體的氣氛中。
2.根據權利要求1所述的堆積物去除方法,其特征在于,
上述堆積物含有硅氧化物和有機物。
3.根據權利要求2所述的堆積物去除方法,其特征在于,
上述堆積物中的有機物是由于在形成上述圖案時的蝕刻處理中使用含有碳的氣體而形成的。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的堆積物去除方法,其特征在于,
在上述第1處理工序和上述第2處理工序中的含有氟化氫氣體的氣氛是氟化氫氣體和醇類氣體的混合氣體的氣氛。
5.根據權利要求4所述的堆積物去除方法,其特征在于,
上述第1處理工序和上述第2處理工序中的至少一個處理工序在處理室內實施,通過多循環反復第1期間和第2期間的循環處理來進行,在該第1期間內,使上述醇類氣體的分壓為第1分壓,在該第2期間內,對處理室內進行排氣而使上述醇類氣體的分壓為比第1分壓低的第2分壓。
6.根據權利要求5所述的堆積物去除方法,其特征在于,
上述第1分壓是能夠在上述混合氣體的作用下去除上述堆積物的分壓。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的堆積物去除方法,其特征在于,
在上述第1處理工序之前,進行基于氧等離子體的預處理工序,在該預處理工序中,加熱上述基板并將上述基板暴露在氧等離子體中。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的堆積物去除方法,其特征在于,
上述圖案含有作為構造物的二氧化硅。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





