[發明專利]附孔層疊體的制造方法、附孔層疊體、多層基板的制造方法及底層形成用組合物

有效

• 申請號: 201280046727.2
• 申請日: 2012-09-25
• 公開（公告）號: CN103828497A
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 塚本直樹
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46;H05K3/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種附孔層疊體的制造方法、附孔層疊體、多層基板的制造方法及底層形成用組合物。

背景技術

自從前以來，在絕緣性基板的表面形成有利用金屬圖案的布線的金屬布線基板廣泛地用于電子零件或半導體元件。

作為此種金屬布線基板的制作方法，主要使用“減成法(subtractive?process)”。該減成法是指如下的方法：在形成在基板表面的金屬層上，設置通過活性光線的照射而感光的感光層，對該感光層進行成像曝光，其后進行顯影而形成抗蝕劑圖像，繼而，對金屬層進行蝕刻而形成金屬圖案，最后將抗蝕劑圖像剝離。

在通過該方法而獲得的金屬布線基板中，利用通過在基板表面設置凹凸而產生的定錨效應，使基板與金屬層之間的密接性顯現。因此，存在因所獲得的金屬圖案的基板界面部的凹凸，而導致用作金屬布線時的高頻特性變差這一問題點。另外，為了對基板表面進行凹凸化處理，必須利用鉻酸等強酸對基板表面進行處理，因此還存在為了獲得金屬層與基板的密接性優異的金屬圖案而需要繁雜的步驟這一問題點。

作為解決該問題的方法，已知有如下的方法：在基板上形成與基板具有高密接性的被鍍敷層，對該被鍍敷層實施鍍敷而在被鍍敷層上形成金屬層(專利文獻1)。根據該方法，可不使基板的表面粗面化，而改良基板與金屬層的密接性。再者，在專利文獻1中，在基板與被鍍敷層之間設置中間層(密接輔助層)來提高金屬層的密接性。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-248464號公報

發明內容

發明要解決的課題

另一方面，近年來，伴隨電子設備的高功能化等的要求，電子零件的高密度集成化，進而高密度安裝化正不斷發展。在此種狀況下，這些中所使用的對應于高密度安裝的布線板等也需要小型化且高密度化，為了滿足此種要求，在多層基板中，能夠以更高的連接可靠性將以微細布線間距所形成的多層的金屬層(布線層)間電性連接變得更重要。

通常，當制造具有多層的金屬層的多層基板時，形成用以確保金屬層間的導通的通道孔(via?hole)。

本發明者等人針對專利文獻1中所具體揭示的具有基板與中間層(密接輔助層)及被鍍敷層的層疊體，利用激光加工而實施了孔(通道)的形成處理，結果所形成的孔的形狀精度并不充分，且有損害通道的連接可靠性之虞。

另外，關于該層疊體，在提升孔的形狀精度，并且如上述般確保高連接可靠性后，也必須保證形成于被鍍敷層上的金屬層的優異的密接性。

鑒于上述實際情況，本發明的目的在于提供一種通過激光加工所形成的孔的形狀精度優異，并且所層疊的金屬層的密接性優異的附孔層疊體的制造方法、及根據該制造方法所獲得的附孔層疊體。

另外，本發明的目的還在于提供一種使用該附孔層疊體、且具有密接性優異的金屬層的多層基板的制造方法。

進而，本發明的目的還在于提供一種用于附孔層疊體的制造方法的底層形成用組合物。

解決問題的技術手段

本發明者等人對上述課題進行了努力研究，結果發現通過使配置在被鍍敷層與基板之間的底層(密接輔助層)中包含具有含有氰基的重復單元的聚合物、及規定的大小的金屬氧化物粒子，利用激光加工所形成的孔的形狀精度、及層疊于被鍍敷層上的金屬層的密接性大幅度改變，根據該發現而完成了本發明。

即，本發明者等人發現可通過以下的構成來解決上述課題。

(1)一種附孔層疊體的制造方法，其包括如下的孔形成步驟：對在基板上依次具備第1金屬層、底層及被鍍敷層的加工前層疊體實施激光加工，而形成自加工前層疊體的被鍍敷層側的表面到達第1金屬層表面的孔，上述底層包含具有含有氰基的重復單元的聚合物及金屬氧化物粒子，上述被鍍敷層具有與鍍敷催化劑或其前驅物相互作用的官能基；

相對于聚合物中的所有重復單元，聚合物中的含有氰基的重復單元的含量為10摩爾％～60摩爾％，

金屬氧化物粒子的粒徑為50nm～2000nm，且

相對于聚合物及金屬氧化物粒子的合計質量，底層中的金屬氧化物粒子的含量為20質量％～60質量％。

(2)如(1)所述的附孔層疊體的制造方法，其中相對于聚合物及金屬氧化物粒子的合計質量，底層中的金屬氧化物粒子的含量為20質量％～50質量％。

(3)一種多層基板的制造方法，其包括：

催化劑賦予步驟，對通過如(1)或(2)所述的制造方法所獲得的附孔層疊體中的被鍍敷層賦予鍍敷催化劑或其前驅物；以及