[發明專利]非共振雙光子吸收材料、非共振雙光子吸收記錄材料、記錄介質、記錄/再現方法和非共振雙光子吸收化合物在審
| 申請號: | 201280034482.1 | 申請日: | 2012-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN103688310A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 津山博昭;秋葉雅溫;望月英宏;佐佐木俊央;見上龜雄 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | G11B7/246 | 分類號: | G11B7/246;C07C255/56;C07C69/33 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁業平;常海濤 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 共振 光子 吸收 材料 記錄 介質 再現 方法 化合物 | ||
1.一種非共振雙光子吸收材料,其包含由下式(1)表示的非共振雙光子吸收化合物:
式(1)
(其中Ar1至Ar5各自獨立地代表芳香族烴環或芳香族雜環,并且可以可各自獨立地彼此相同或不同;m、n、p、q和s各自獨立地代表0至4的整數;t代表0或1的整數;R1、R2、R3、R4和R5各自獨立地代表取代基;當m、n、p、q和s各自獨立地為2以上的整數時,R1、R2、R3、R4或R5可以各自獨立地與其它各R1、R2、R3、R4或R5相同或不同;并且X和Y各自代表Hammettσ-p值為0以上的取代基,并且X和Y可以彼此相同或不同)。
2.根據權利要求1所述的非共振雙光子吸收材料,其包含由下式(2)表示的非共振雙光子吸收化合物:
式(2)
(其中l代表1至4的整數;m、n、p、q和s各自獨立地代表0至4的整數;t代表0或1的整數;R6代表包含選自氧原子、硫原子和氮原子中至少一者的取代基,并且當l為2以上時,各R6可以與其它各R6相同或不同;R7、R8、R9、R10和R11各自獨立地代表取代基,并且當m、n、p、q和s各自獨立地為2以上的整數時,R7、R8、R9、R10或R11可以各自獨立地與其它各R7、R8、R9、R10或R11相同或不同;并且X代表Hammettσ-p值為0以上的取代基)。
3.根據權利要求2所述的非共振雙光子吸收材料,其包含由下式(3)表示的非共振雙光子吸收化合物:
式(3)
(其中l、m、n、p、q、s、t、R6、R7、R8、R9、R10、R11和X與式(2)中的相同)。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的非共振雙光子吸收材料,
其中由所述非共振雙光子吸收化合物的式(1)至(3)中X代表的取代基為三氟甲基、氰基、或由下式(4)表示的基團:
式(4)
(其中R12代表包含選自氧原子、硫原子和氮原子中至少一者的取代基,u代表0至4的整數,并且當u為2以上時,各R12可以與其它各R12相同或不同)。
5.根據權利要求2至4中任意一項所述的非共振雙光子吸收材料,
其中由式(1)至(3)中任意一者代表的所述非共振雙光子吸收化合物為由下式(5)代表的非共振雙光子吸收化合物:
式(5)
(其中l、m、n、p、q、R6、R7、R8、R9和R10與式(2)和(3)中的相同,并且X1代表三氟甲基、氰基、或由式(4)表示的取代基)。
6.一種非共振雙光子吸收記錄材料,其包含權利要求1至5中任意一項所述的非共振雙光子吸收材料。
7.根據權利要求6所述的非共振雙光子吸收記錄材料,其包含(b)一種能夠改變雙光子記錄前后的熒光強度的材料。
8.根據權利要求6所述的非共振雙光子吸收記錄材料,其包含(b’)一種能夠改變雙光子記錄前后的反射光強度的材料。
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