[發(fā)明專利]用于存儲設(shè)備的用低預(yù)留空間實現(xiàn)低寫入放大的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280024279.6
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN103562842B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: L·阮;P·尼奧斯;L·湯-薩特
• 申請（專利權(quán)）人: 馬維爾國際貿(mào)易有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F12/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種固態(tài)硬盤SSD，包括：

SSD控制模塊，被配置為確定與關(guān)聯(lián)于所述SSD的相應(yīng)的邏輯地址中所存儲的數(shù)據(jù)多長時間被更新一次所對應(yīng)的頻率并且根據(jù)所述頻率形成所述邏輯地址的群組，其中形成所述群組包括：

生成所述邏輯地址的最近最少使用LRU列表，其中所述LRU列表指示所述邏輯地址中的每個邏輯地址中所存儲的所述數(shù)據(jù)多長時間被更新一次，

根據(jù)相應(yīng)的更新頻率，將所述邏輯地址的不同范圍排列到多個區(qū)域中，使得所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域包括具有相應(yīng)的更新頻率的所述邏輯地址的不同范圍并且所述多個區(qū)域中的每個區(qū)域包括所述邏輯地址中的至少一個，其中所述相應(yīng)的更新頻率中的每個對應(yīng)于在所述邏輯地址的所述不同范圍中的相應(yīng)范圍中的所述數(shù)據(jù)多長時間被更新一次，以及

基于所述LRU列表生成包括所述多個區(qū)域的區(qū)域列表；以及

存儲器控制模塊，被配置為基于所述群組將所述數(shù)據(jù)重新寫入至SSD存儲區(qū)的區(qū)塊中的物理地址，其中為了重新寫入所述數(shù)據(jù)，所述存儲器控制模塊還被配置為使用所述區(qū)域列表，

將與第一區(qū)域相關(guān)聯(lián)的第一邏輯地址中的第一數(shù)據(jù)從所述SSD存儲區(qū)的第一區(qū)塊重新寫入到所述SSD存儲區(qū)的第二區(qū)塊，

將與所述第一區(qū)域相關(guān)聯(lián)的第二邏輯地址中的第二數(shù)據(jù)從所述SSD存儲區(qū)的第三區(qū)塊重新寫入到所述SSD存儲區(qū)的所述第二區(qū)塊，以及

將與第二區(qū)域相關(guān)聯(lián)的第三邏輯地址中的第三數(shù)據(jù)從所述SSD存儲區(qū)的所述第一區(qū)塊重新寫入到所述SSD存儲區(qū)的第四區(qū)塊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD，其中所述SSD控制模塊包括：

LRU模塊，被配置為生成所述LRU列表；以及

區(qū)域控制模塊，被配置為生成所述區(qū)域列表。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD，其中所述邏輯地址包括邏輯區(qū)塊地址LBA。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD，其中所述SSD存儲區(qū)包括閃存陣列。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD，其中所述SSD控制模塊包括被配置為執(zhí)行固件的處理器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD，其中所述LRU列表和所述區(qū)域列表在易失性存儲器和非易失性存儲器中的至少一個之中存儲。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD，其中：

與所述SSD相關(guān)聯(lián)的物理地址的第一數(shù)目大于所述邏輯地址的第二數(shù)目；以及

所述第一數(shù)目和所述第二數(shù)目之差與所述第二數(shù)目之比小于5％。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SSD，其中與所述SSD相關(guān)聯(lián)的寫入放大大約是1.1。