[發明專利]NdFeB系燒結磁體有效
| 申請號： | 201280021381.0 | 申請日： | 2012-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103797549A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 佐川真人;溝口徹彥 | 申請（專利權）人： | 因太金屬株式會社 |
| 主分類號： | H01F1/08 | 分類號： | H01F1/08;B22F1/00;B22F3/00;C22C33/02;H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ndfeb 燒結 磁體 | ||
【權利要求書】：
1.一種NdFeB系燒結磁體，其特征在于，其為通過晶界擴散處理而使附著在基材表面的Dy和/或Tb擴散到該基材內部的晶界的NdFeB系燒結磁體，所述基材是通過將NdFeB系合金的粉末進行取向、燒結而制造的，以下，將“Dy和/或Tb”記為“RH”，
出現在附著有RH的面的晶界中的RH濃度Cs(wt%)與從所述附著面起深度3mm的晶界中的RH濃度Cd3(wt%)之差Cs-Cd3為20wt%以下。
2.根據權利要求1所述的NdFeB系燒結磁體，其特征在于，出現在所述附著面的晶界中的RH濃度Cs(wt%)與從所述附著面起深度1mm的晶界中的RH濃度Cd1(wt%)之差Cs-Cd1為15wt%以下。
3.根據權利要求1或2所述的NdFeB系燒結磁體，其特征在于，所述基材中的晶界三重點的、富稀土相中的富碳相的總體積相對于該富稀土相的總體積的比率為50%以下。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的NdFeB系燒結磁體，其特征在于，所述基材整體的含碳率為1000ppm以下。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的NdFeB系燒結磁體，其特征在于，構成所述基材的粒子即主相粒子的平均粒徑為4.5μm以下。
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