[發(fā)明專利]層疊陶瓷電容器、以及層疊陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280018011.1
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號: CN103460316A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 平田朋孝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;C04B35/48;H01G4/232;H01G4/30;H01B3/12
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張玉玲

1.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，

其具備具有包含晶粒及晶界的電介質(zhì)陶瓷層和內(nèi)部電極層的層疊體、形成于所述層疊體的表面并將在所述層疊體的表面露出的內(nèi)部電極層電連接的外部電極，

所述層疊體的組成作為主成分含有鋯酸鈣系鈣鈦礦型化合物，此外還含有Mn、Sr、以及Si，

將所述層疊體溶解時，

將Zr設(shè)為100摩爾份時的Si的含有摩爾份為0.1以上且10以下，

Mn相對于Sr的摩爾比為0.3以上且3.2以下。

2.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，

其具備具有包含晶粒及晶界的電介質(zhì)陶瓷層和內(nèi)部電極層的層疊體、形成于所述層疊體的表面并將在所述層疊體的表面露出的內(nèi)部電極層電連接的外部電極，

所述電介質(zhì)陶瓷層的組成作為主成分含有鋯酸鈣系鈣鈦礦型化合物，此外還含有Mn、Sr、以及Si，

所述電介質(zhì)陶瓷層的組成為將Zr設(shè)為100摩爾份時的Si的含有摩爾份為0.1以上且10以下，Mn相對于Sr的摩爾比為0.3以上且3.2以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述內(nèi)部電極層的主成分為Cu。

4.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，其具備：

準(zhǔn)備以鋯酸鈣系鈣鈦礦型化合物作為主成分的主成分粉末的工序；

準(zhǔn)備Mn化合物、Sr化合物、以及Si化合物的工序；

將所述主成分粉末、所述Mn化合物、所述Sr化合物、所述Si化合物混合，其后得到陶瓷料漿的工序；

由所述陶瓷料漿得到陶瓷生片的工序；

將所述陶瓷生片、內(nèi)部電極層堆疊而得到燒成前的層疊體的工序；

將所述燒成前的層疊體燒成而得到層疊體的工序，

在該層疊陶瓷電容器的制造方法中，

將Zr設(shè)為100摩爾份時的Si的含有摩爾份為0.1以上且10以下，

Mn相對于Sr的摩爾比為0.3以上且3.2以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中，

所述內(nèi)部電極層的主成分為Cu。