[發(fā)明專利]像素電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280017826.8
• 申請(qǐng)日: 2012-04-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103477435A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·凱恩;S·諾弗爾;B·H·佩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 造型邏輯有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 歐陽(yáng)帆

技術(shù)領(lǐng)域

許多電子裝置包括由切換電路控制的像素導(dǎo)體的陣列。

背景技術(shù)

已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，一些這種裝置受益于將每個(gè)像素導(dǎo)體與用于控制同一個(gè)陣列的其它像素導(dǎo)體的下層的(underlying)電路的部分電容性耦合。然而，現(xiàn)在已經(jīng)觀察到，對(duì)于一些裝置的批量制作，裝置性能的改善可能在裝置之間變化，并且已經(jīng)認(rèn)識(shí)到提供通過(guò)其可以實(shí)現(xiàn)裝置性能的更可預(yù)測(cè)的和一致的改善的技術(shù)的需求。

本發(fā)明的一個(gè)目的是滿足這種需求。

發(fā)明內(nèi)容

由此提供了一種方法，其包括：形成裝置的橫向延伸的切換電路，用于控制所述裝置的像素導(dǎo)體的重疊的橫向延伸的陣列；在所述切換電路之上經(jīng)由第一絕緣區(qū)域形成導(dǎo)電的橫向延伸的圖案化的屏蔽器(screen)，所述圖案化的屏蔽器限定用于收容所述切換電路與所述像素導(dǎo)體的陣列之間的導(dǎo)電的層間連接件的孔；并且其后：在所述圖案化的屏蔽器之上形成第二絕緣區(qū)域，在所述圖案化的屏蔽器之上經(jīng)由所述第二絕緣區(qū)域形成用于與所述圖案化的屏蔽器電容性耦合的所述像素導(dǎo)體的陣列，在所述圖案化的屏蔽器中限定的所述孔的位置處形成至少通過(guò)所述第一和第二絕緣區(qū)域的貫通孔，并且在所述貫通孔中形成所述層間連接件；以及其中所述圖案化的屏蔽器被配置為使得在像素導(dǎo)體相對(duì)于切換電路的橫向位置的一個(gè)范圍內(nèi)像素導(dǎo)體的陣列與下層的導(dǎo)電元件之間的交迭的面積基本上恒定，所述范圍在第一方向上大于所述第一方向上的像素導(dǎo)體的節(jié)距的40％。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的屏蔽器朝向像素導(dǎo)體的陣列的投影面積至少為像素導(dǎo)體的陣列的占地區(qū)域的面積的約60％。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的屏蔽器朝向像素導(dǎo)體的陣列的投影面積至少為像素導(dǎo)體的陣列的占地區(qū)域的面積的約84％。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的屏蔽器朝向像素導(dǎo)體中的單個(gè)像素導(dǎo)體的投影面積至少為單個(gè)像素導(dǎo)體的占地區(qū)域的面積的約58％。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的屏蔽器朝向像素導(dǎo)體中的單個(gè)像素導(dǎo)體的投影面積至少為單個(gè)像素導(dǎo)體的占地區(qū)域的面積的約81％。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的屏蔽器朝向像素導(dǎo)體的陣列的投影面積等于像素導(dǎo)體的陣列的占地區(qū)域的整個(gè)面積減去不大于約2000平方微米乘以像素導(dǎo)體的陣列中的像素導(dǎo)體的數(shù)量的面積。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，圖案化的屏蔽器被分割成條帶(strips)的陣列。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述切換電路包括限定源極／漏極電極對(duì)的陣列的源極／漏極電極層，并且其中每對(duì)源極／漏極電極包括在所述源極／漏極電極層的平面內(nèi)由源極電極整個(gè)地包圍的漏極電極；并且其中所述層間連接件向下延伸到所述漏極電極。

由此還提供了如上所述的圖案化的屏蔽器的使用，用于提高多個(gè)裝置之間的像素性能的均勻性。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，像素性能是從電壓保持率(voltage?holding?ratio)和反沖(kickback)電壓的組中選擇的至少一個(gè)。

附圖說(shuō)明

為了幫助理解本發(fā)明，現(xiàn)在將通過(guò)僅僅示例的方式并且參考附圖描述其特定的實(shí)施例，在附圖中：

圖1(a)到(h)示出TFT控制的像素導(dǎo)體陣列的制作；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的并且根據(jù)圖1的技術(shù)制作的TFT控制的像素導(dǎo)體陣列的示例的示意圖；

圖3示出圖2的實(shí)施例中的圖案化的屏蔽器與像素導(dǎo)體之間的交迭的程度；

圖4示出根據(jù)圖2的實(shí)施例的一個(gè)變型的圖案化的屏蔽器分割成條帶；

圖5示出圖2的實(shí)施例的另一個(gè)變型，其采用源極和漏極電極的不同的陣列；以及

圖6進(jìn)一步示出圖5的源極和漏極電極的不同的陣列。

具體實(shí)施方式

參考圖1到3，下面通過(guò)僅僅示例的方式詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。

圖1和圖2示出根據(jù)本發(fā)明的對(duì)于制作像素導(dǎo)體的陣列的示例的實(shí)施例，像素導(dǎo)體的電勢(shì)是可經(jīng)由下層的薄膜晶體管(TFT)的陣列獨(dú)立控制的。