[發明專利]像素電容器

有效

• 申請號: 201280017826.8
• 申請日: 2012-04-11
• 公開（公告）號: CN103477435A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: P·凱恩;S·諾弗爾;B·H·佩
• 申請（專利權）人: 造型邏輯有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 歐陽帆

1.一種方法，包括：

形成裝置的橫向延伸的切換電路，用于控制所述裝置的像素導體的重疊的橫向延伸的陣列；

在所述切換電路之上經由第一絕緣區域形成導電的橫向延伸的圖案化的屏蔽器，所述圖案化的屏蔽器限定用于收容所述切換電路與所述像素導體的陣列之間的導電的層間連接件的孔；并且其后：

在所述圖案化的屏蔽器之上形成第二絕緣區域，在所述圖案化的屏蔽器之上經由所述第二絕緣區域形成用于與所述圖案化的屏蔽器電容性耦合的所述像素導體的陣列，在所述圖案化的屏蔽器中限定的所述孔的位置處形成至少通過所述第一和第二絕緣區域的貫通孔，并且在所述貫通孔中形成所述層間連接件；以及

其中所述圖案化的屏蔽器被配置為使得在像素導體相對于切換電路的橫向位置的一個范圍內像素導體的陣列與下層的導電元件之間的交迭的面積基本上恒定，所述范圍在第一方向上大于所述第一方向上的像素導體的節距的40％。

2.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化的屏蔽器朝向像素導體的陣列的投影面積至少為像素導體的陣列的占地區域的面積的約60％。

3.根據權利要求2所述的方法，其中圖案化的屏蔽器朝向像素導體的陣列的投影面積至少為像素導體的陣列的占地區域的面積的約84％。

4.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化的屏蔽器朝向像素導體中的單個像素導體的投影面積至少為單個像素導體的占地區域的面積的約58％。

5.根據權利要求4所述的方法，其中圖案化的屏蔽器朝向像素導體中的單個像素導體的投影面積至少為單個像素導體的占地區域的面積的約81％。

6.根據權利要求1所述的方法，其中圖案化的屏蔽器朝向像素導體的陣列的投影面積等于像素導體的陣列的占地區域的整個面積減去不大于約2000平方微米乘以像素導體的陣列中的像素導體的數量的面積。

7.根據權利要求1到6中的任意一個所述的方法，其中圖案化的屏蔽器被分割成條帶的陣列。

8.根據權利要求1到7中的任意一個所述的方法，其中所述切換電路包括限定源極／漏極電極對的陣列的源極／漏極電極層，并且其中每對源極／漏極電極包括在所述源極／漏極電極層的平面內由源極電極整個地包圍的漏極電極；并且其中所述層間連接件向下延伸到所述漏極電極。

9.如權利要求1到8中的任意一個中所述的圖案化的屏蔽器的使用，用于提高多個裝置之間的像素性能的均勻性。

10.根據權利要求9所述的使用，其中像素性能是從電壓保持率和反沖電壓的組中選擇的至少一個。