[發(fā)明專利]高頻模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280011145.0
• 申請日: 2012-02-27
• 公開（公告）號: CN103416001A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北嶋宏通
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H04B1/50
• 分類號: H04B1/50;H04B1/38;H04B1/44
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 宋俊寅

1.一種高頻模塊，包括開關(guān)IC以及SAW雙工器，該開關(guān)IC包括公共端子以及多個獨(dú)立端子，該SAW雙工器與該開關(guān)IC的獨(dú)立端子相連，并對通信信號的發(fā)送信號和接收信號進(jìn)行復(fù)用和解復(fù)用，該高頻模塊的特征在于，

包括由規(guī)定的立體形狀形成的層疊體，該層疊體包括將所述開關(guān)IC和所述SAW雙工器安裝于底面以外的規(guī)定面上的安裝用連接盤，并且在所述底面上包括外部連接用連接盤，

輸入所述發(fā)送信號的發(fā)送側(cè)外部連接用連接盤以及與天線連接的外部連接用連接盤、和輸出所述接收信號的接收側(cè)外部連接用連接盤配置成俯視所述層疊體時沿著相對的邊彼此隔開，

接收側(cè)安裝用連接盤大體上僅通過通孔與所述接收側(cè)外部連接用連接盤相連，該接收側(cè)安裝用連接盤安裝有所述SAW雙工器的接收信號側(cè)的端口。

2.如權(quán)利要求1所述高頻模塊，其特征在于，

所述接收側(cè)外部連接用連接盤和與天線連接的外部連接用連接盤配置成俯視所述層疊體時沿著相對的邊彼此隔開。

3.如權(quán)利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于，

所述開關(guān)IC沿著配置有所述發(fā)送側(cè)外部連接用連接盤的所述層疊體的一側(cè)邊配置，所述SAW雙工器沿著配置有所述接收側(cè)外部連接用連接盤的所述層疊體的另一側(cè)邊配置。

4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，

所述接收側(cè)安裝用連接盤配置在俯視所述層疊體時與所述接收側(cè)外部連接用連接盤重合的位置。

5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，

在所述層疊體的安裝面和內(nèi)層的至少其中一方形成有接地電極，在俯視所述層疊體時，該接地電極形成在所述接收側(cè)外部連接用連接盤與所述發(fā)送側(cè)外部連接用連接盤之間、以及所述接收側(cè)安裝用連接盤與發(fā)送側(cè)安裝用連接盤之間，該發(fā)送側(cè)安裝用連接盤安裝有所述SAW雙工器的發(fā)送信號側(cè)的端口，

該接地電極經(jīng)由通孔與接地安裝用連接盤相連，該接地安裝用連接盤安裝有所安裝的所述SAW雙工器的接地端口。

6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，

所述層疊體的底面上形成有外部接地連接用電極，在俯視所述層疊體時，該外部接地連接用電極形成在所述接收側(cè)外部連接用連接盤與所述發(fā)送側(cè)外部連接用連接盤之間，

該外部接地連接用電極形成為俯視所述層疊體時與所述接地安裝用連接盤重合。

7.如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，

所述開關(guān)IC包括多個獨(dú)立端子，該多個獨(dú)立端子的每個端子與不同的SAW雙工器相連，

安裝各SAW雙工器的接收側(cè)安裝用連接盤的排列軸與發(fā)送側(cè)安裝用連接盤的排列軸隔開規(guī)定間隔平行地配置。

8.如權(quán)利要求7所述高頻模塊，其特征在于，

所述多個SAW雙工器的天線側(cè)端口配置在與配置有所述SAW雙工器的接收信號側(cè)的端口和發(fā)送信號側(cè)的端口的邊相對的邊上，

所述多個SAW雙工器以如下方式安裝：即，所述接收信號側(cè)的端口和所述發(fā)送信號側(cè)的端口沿著所述接收側(cè)安裝用連接盤和所述發(fā)送側(cè)安裝用連接盤的排列軸、夾在所述多個SAW雙工器的天線側(cè)端口之間。

9.如權(quán)利要求1至8的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，

所述發(fā)送側(cè)外部連接用連接盤以及與所述天線相連的外部連接用連接盤沿著所述層疊體的一側(cè)邊排列而形成，

在所述發(fā)送側(cè)外部連接用連接盤和與所述天線相連的外部連接用連接盤之間配置有用于施加驅(qū)動所述開關(guān)IC的信號的外部連接用連接盤。

10.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其特征在于，

所述層疊體通過層疊多個電介質(zhì)層而形成，

在所述層疊體的內(nèi)部包括所述開關(guān)IC用的第一內(nèi)層接地電極以及所述SAW雙工器用的第二內(nèi)層接地電極，

所述第一內(nèi)層接地電極和所述第二內(nèi)層接地電極形成在所述層疊體內(nèi)部的不同的所述電介質(zhì)層上。