[發明專利]層疊陶瓷電容器以及層疊陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201280003104.7
• 申請日: 2012-02-09
• 公開（公告）號: CN103124706A
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發明（設計）人: 松田真
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王玉玲

1.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，

是具備層疊體和多個外部電極的層疊陶瓷電容器，

所述層疊體具有具備晶粒和晶界的層疊而成的多層電介質層、和沿著所述電介質層間的界面形成的多個內部電極，

所述外部電極形成于所述層疊體的外表面且與所述內部電極電連接，

所述層疊體的組成是以含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的鈣鈦礦型化合物作為主成分，還含有稀土類元素R、和Mn、Mg、V、Si，

將所述Ti設為100摩爾份時，

所述Ba與所述Ca的以100×m表示的總含量摩爾份滿足0.950≤m＜1.000，

所述R的含量a摩爾份為0.3≤a≤2.5，

所述Mn的含量b摩爾份為0.05≤b≤0.5，

所述Mg的含量c摩爾份為0.5≤c≤2.0，

所述V的含量d摩爾份為0.05≤d≤0.25，

所述Si的含量e摩爾份為0.5≤e≤3.0，

進而，Ca/(Ba+Ca)的摩爾比x為0≤x≤0.10，

進而，在距離所述晶粒的表面達4nm的內側的位置的、所述稀土類元素R的存在概率為20％以上。

2.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，

是具備層疊體和多個外部電極的層疊陶瓷電容器，

所述層疊體具有具備晶粒和晶界的層疊而成的多層電介質層、和沿著所述電介質層間的界面形成的多個內部電極，所述外部電極形成于所述層疊體的外表面且與所述內部電極電連接，

所述層疊體的組成是將含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的鈣鈦礦型化合物作為主成分，還含有稀土類元素R、和Mn、Mg、V、Si，

將利用溶劑溶解所述層疊體時的所述Ti設為100摩爾份時，

所述Ba與所述Ca的以100×m表示的總含量摩爾份滿足0.950≤m＜1000，

所述R的含量a摩爾份為0.3≤a≤2.5，

所述Mn的含量b摩爾份為0.05≤b≤0.5，

所述Mg的含量c摩爾份為0.5≤c≤2.0，

所述V的含量d摩爾份為0.05≤d≤0.25，

所述Si的含量e摩爾份為0.5≤e≤3.0，

進而，Ca/(Ba+Ca)的摩爾比x為0≤x≤0.10，

進而，在距離所述晶粒的表面達到4nm的內側的位置的、所述稀土類元素R的存在概率為20％以上。

3.一種層疊陶瓷電容器，其特征在于，

是具備層疊體和多個外部電極的層疊陶瓷電容器，

所述層疊體具有具備晶粒和晶界的層疊而成的多層電介質層、和沿著所述電介質層間的界面形成的多個內部電極，

所述外部電極形成于所述層疊體的外表面且與所述內部電極電連接，

所述電介質層的組成是將含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的鈣鈦礦型化合物作為主成分，還含有稀土類元素R、和Mn、Mg、V、Si，

將所述Ti設為100摩爾份時，

所述Ba與所述Ca的以100×m表示的總含量摩爾份滿足0.950≤m＜1.000，

所述R的含量a摩爾份為0.3≤a≤2.5，

所述Mn的含量b摩爾份為0.05≤b≤0.5，

所述Mg的含量c摩爾份為0.5≤c≤2.0，

所述V的含量d摩爾份為0.05≤d≤0.25，

所述Si的含量e摩爾份為0.5≤e≤3.0，

進而，Ca/(Ba+Ca)的摩爾比x為0≤x≤0.10，

進而，在距離所述晶粒的表面達4nm的內側的位置的、所述稀土類元素R的存在概率為20％以上。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的層疊陶瓷電容器，其中，

所述電介質層的厚度為0.4μm以上1.5μm以下。

5.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，其特征在于，具有：

準備將含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的鈣鈦礦型化合物作為主成分的主成分粉末的工序，

準備稀土類元素R的化合物、和Mn化合物、Mg化合物、V化合物、Si化合物的工序，

對所述主成分粉末、所述稀土類元素R的化合物和所述Mn化合物、所述Mg化合物、所述V化合物、所述Si化合物進行混合，然后得到陶瓷漿料的工序，

由所述陶瓷漿料獲得陶瓷生片的工序，

疊置所述陶瓷生片和內部電極層而得到燒成前的層疊體的工序，以及

對所述燒成前的層疊體進行燒成，得到在電介質層間形成有內部電極的層疊體的工序；

其中，

將所述Ti設為100摩爾份時，

所述Ba與所述Ca的以100×m表示的總含量摩爾份滿足0.950≤m＜1.000、

所述R的含量a摩爾份為0.3≤a≤2.5、

所述Mn的含量b摩爾份為0.05≤b≤0.5、

所述Mg的含量c摩爾份為0.5≤c≤2.0、

所述V的含量d摩爾份為0.05≤d≤0.25、

所述Si的含量e摩爾份為0.5≤e≤3.0，

進而，Ca/(Ba+Ca)的摩爾比x為0≤x≤0.10，

進而，所述電介質層具備晶粒和晶界，在距離所述晶粒的表面達4nm的內側的位置的、所述稀土類元素R的存在概率為20％以上。