[實用新型]一種硅片擴散用載體

有效

• 申請號: 201220750488.6
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN202996798U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 范志東;馬繼奎;崔景光
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/68
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，更具體地說，涉及一種硅片擴散用載體。?

背景技術

在太陽能電池生產的過程中，作為其核心部件的硅片需要經過擴散工序以在硅片的表面制備PN結，使硅片內形成空間電荷區。硅片的擴散原理為：通過高溫下三氯氧磷的熱分解以及三氯氧磷和氧氣的反應生成五氧化二磷，五氧化二磷再和二氧化硅反應生成磷從而擴散進入硅片當中形成一定結深和雜質梯度分布的N型層，從而和P型硅襯底在界面處形成PN結。?

在現有技術中，硅片在擴散爐中一般多為單面擴散和雙面擴散，硅片在進行擴散時的載體為石英舟，其為長方體形槽狀部件，在石英舟凹槽內壁上設置有多個矩形卡槽01，如圖1所示，硅片在放入凹槽中時，硅片的邊緣會進入卡槽01中以實現硅片的定位，其中，卡槽01的寬度大于硅片的兩倍厚度以便于機械手將硅片放入。當硅片進行單面擴散時，需要在一個卡槽01中放入兩片硅片，并使此兩片硅片背靠背完全緊密接觸，以避免擴散過程中雜質原子擴散至此兩個接觸的表面。但是，在硅片單面擴散的高溫過程中，由于卡槽01的寬度大于兩片硅片的厚度之和，所以硅片的熱應力會使兩片硅片在卡槽01內相分離，且在擴散過程中氣流的作用下很難再使兩片硅片重新背靠背的緊密接觸，這就使硅片的背面會或多或少的被雜質原子擴散，對硅片的合格率和工作效率產生了嚴重的影響。?

綜上所述，如何提供一種硅片用擴散載體，以實現減少甚至避免硅片背面被擴散的幾率，進而提高硅片的合格率和工作效率，是目前本領域技術人員亟待解決的問題。?

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型提供了一種硅片用擴散載體，其減少甚至避免了硅片背面被擴散的幾率，進而提高了硅片的合格率和工作效率。?

為了達到上述目的，本實用新型提供如下技術方案：?

一種硅片擴散用載體，其包括：?

設置在所述載體上對硅片進行定位的定位卡槽，所述定位卡槽的槽底寬度小于所述定位卡槽的開口寬度；?

限位裝置，所述限位裝置上設置有卡止所述硅片，并與所述定位卡槽配合以使兩片所述硅片始終緊密接觸的限位卡槽。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位卡槽的槽底寬度小于所述限位卡槽的開口寬度。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述定位卡槽位于其開口和槽底之間的部位的寬度大于所述定位卡槽的開口寬度。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位裝置包括：?

設置有多個所述限位卡槽的限位條；?

支撐所述限位條，并與所述載體接觸配合的支撐架。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位條和所述支撐架分別為石英限位條和石英支撐架。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述限位卡槽與所述定位卡槽分別卡止所述硅片的兩個對邊。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述定位卡槽與所述限位卡槽的結構相同。?

優選的，上述硅片用擴散載體中，所述載體為石英舟。?

本實用新型提供的硅片擴散用載體中，其上設置有定位卡槽，且此定位卡槽的槽底寬度小于其開口寬度，設置有限位卡槽的限位裝置，限位卡槽與定位卡槽配合使兩片硅片始終緊密的接觸。在進行擴散工序時，由于定位卡?槽的槽底寬度小于開口寬度，即與原有卡槽的槽底寬度相比，此載體的槽底寬度更小，減小了硅片受熱應力時移位的活動空間，使得定位卡槽對邊緣放置于槽底的硅片的卡止效果更加的突出，而且除定位卡槽對硅片進行卡止以外，還增設了同樣卡止硅片的限位卡槽，使得硅片的受力點更多，硅片發生變形、移位的幾率更小，減少甚至避免了硅片背面被擴散的幾率，進而提高了硅片的合格率和工作效率。?

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。?

圖1為現有技術提供的卡槽的結構示意圖；?

圖2為本實用新型實施例提供的硅片擴散用載體的定位卡槽的結構示意圖，其中a為開口寬度值，b為槽底寬度值，且a＞b；?

圖3為限位裝置的結構示意圖；?

圖4為定位卡槽與限位卡槽配合卡止硅片的工作示意圖。?

以上圖1-圖4中：?

卡槽01；?

定位卡槽1、限位卡槽2、限位條3、支撐架4、硅片5。?

具體實施方式