[實(shí)用新型]一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220734761.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN203242625U | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無(wú)錫來(lái)燕微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/115 | 分類號(hào)： | H01L27/115;H01L21/8247 |
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| 地址： | 214028 江蘇省無(wú)錫市無(wú)錫新區(qū)長(zhǎng)江路21-1*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 嵌入式 揮發(fā)性 記憶體 | ||
1.一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體，包括半導(dǎo)體基板；其特征是：所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的上部設(shè)有若干用于存儲(chǔ)的記憶體細(xì)胞（200），所述記憶體細(xì)胞（200）包括沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210），控制電容（220）和PMOS選擇器晶體管（230）；所述沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）、控制電容（220）間通過(guò)半導(dǎo)體基板內(nèi)的領(lǐng)域介質(zhì)區(qū)域（214）相互隔離；所述沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）、PMOS選擇器晶體管（230）都是位于第一N型區(qū)域（202），且相互之間是串聯(lián)連接；半導(dǎo)體基板的表面上淀積有柵介質(zhì)層（215），所述柵介質(zhì)層（215）上設(shè)有浮柵電極（216）和柵電極（216a），所述浮柵電極（216）覆蓋并貫穿沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）和控制電容（220）上方對(duì)應(yīng)的柵介質(zhì)層（215），浮柵電極（216）的兩側(cè)淀積有側(cè)面保護(hù)層（217），側(cè)面保護(hù)層（217）覆蓋浮柵電極（216）的側(cè)壁；所述柵電極（216a）覆蓋PMOS選擇器晶體管（230）上方對(duì)應(yīng)的柵介質(zhì)層（215），浮柵電極（216a）的兩側(cè)淀積有側(cè)面保護(hù)層（217），側(cè)面保護(hù)層（217）覆蓋柵電極（216a）的側(cè)壁,?沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS晶體管（210）包括第一N型區(qū)域（202）及位于所述第一N型區(qū)域（202）內(nèi)上部的P型源極區(qū)（213）與P型漏極區(qū)（221），控制電容（220）包括第二P型區(qū)域（205）及位于所述第二P型區(qū)域（205）內(nèi)上部的第一P型摻雜區(qū)域（206）與第二P型摻雜區(qū)域（209）與上方的浮柵電極（216）相對(duì)應(yīng)，并分別與相應(yīng)的柵介質(zhì)層（215）及領(lǐng)域介質(zhì)區(qū)域（214）相接觸，PMOS選擇器晶體管（230）包括第一N型區(qū)域（202）及位于所述第一N型區(qū)域（202）內(nèi)上部的P型源極區(qū)（242）與P型漏極區(qū)（247）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體，其特征是：PMOS晶體管（210）是沒(méi)有輕摻雜區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體，其特征是：包括第二N型區(qū)域（203）的深井結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體，包括半導(dǎo)體基板；其特征是：所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的上部設(shè)有若干用于存儲(chǔ)的記憶體細(xì)胞（200），所述記憶體細(xì)胞（200）至少包含一個(gè)由浮柵電極（216）項(xiàng)連接的沒(méi)有輕摻雜區(qū)域PMOS晶體管（210）和沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的控制電容（220），和一個(gè)PMOS選擇器晶體管（230）。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體，包括半導(dǎo)體基板；其特征是：所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的上部設(shè)有若干用于存儲(chǔ)的記憶體細(xì)胞（200），所述記憶體細(xì)胞（200）至少包含一個(gè)由浮柵電極（216）項(xiàng)連接的沒(méi)有輕摻雜區(qū)域PMOS晶體管（210）和沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的控制電容（220），和一個(gè)沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS選擇器晶體管（230）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種嵌入式非揮發(fā)性記憶體，包括半導(dǎo)體基板；其特征是：所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的上部設(shè)有若干用于存儲(chǔ)的記憶體細(xì)胞（200），所述記憶體細(xì)胞（200）至少包含一個(gè)由浮柵電極（216）項(xiàng)連接的沒(méi)有輕摻雜區(qū)域PMOS晶體管（210）和控制電容（220），和一個(gè)沒(méi)有輕摻雜區(qū)域的PMOS選擇器晶體管（230）。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
