[實用新型]硅晶片測試載板及硅晶片測試機臺

有效

• 申請號: 201220720094.6
• 申請日: 2012-12-24
• 公開（公告）號: CN203179845U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 陳石磯
• 申請（專利權）人: 標準科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 梁愛榮

技術領域

本實用新型有關于一種硅晶片測試機臺，特別是有關于一種用配置有可替換式硅晶片測試載板的硅晶片測試機臺。?

背景技術

在半導體的制程中，通常需要進行檢測硅晶片的步驟，其主要目的是要在切割半導體硅晶片(wafer)之前，先以導電性的探針(probe)對硅晶片上的每一晶粒(die)進行接觸，用以進行導通檢查，并檢測不良品，此過程也稱為硅晶片級測試(Wafer?Level?Test；WLT)。?

在目前的硅晶片級測試過程中，都是使用探針直到與晶粒上的焊墊(pad)接觸，以測試其電氣特性并引出硅晶片信號，再配合周邊測試儀器與軟件控制達到自動化量測的目的；而不合格的晶粒會被標上記號，而后當硅晶片依晶粒為單位切割成獨立的晶粒時，標有記號的不合格晶粒會被淘汰。然而，由于半導體硅晶片上形成有數百至數萬個晶粒，所以測試一個半導體硅晶片時，需耗費相當多的時間，且在硅晶片數量增加時，亦會導致成本的上升。?

為了解決前述WLT的問題點，目前已有在硅晶片測試機臺上配置用數百至數萬個探針，并使這些探針直接與半導體硅晶片上的所有晶粒、或半導體硅晶片上至少1/4至1/2左右的晶粒一次接觸的FWLT(Full?Wafer?Level?Test；全硅晶片級測試)的方法來進行硅晶片級測試。很明顯地，利用FWLT，可更快速的做全硅晶片的檢測，以簡省制程的許多時間。?

然而，因半導體硅晶片上形成有數百至數萬個晶粒，于探針與晶粒上的焊墊多次且密集的接觸后，其會在探針頭上沾污污染物，而可能導致檢測失效；故通常是通過定期的清針的方式來解決；然由于硅晶片測試是以時間來計算測試費用，故當需要時常清針時，除了會需耗費大量?的工時外，也會降低測試者的收益；另外，由于探針為非常細的針頭，被探針接觸的晶粒，會在晶粒上留下量測痕跡，可能造成無法分辨是否為新的硅晶片而影響晶粒的售價。?

實用新型內容

為了解決上述所提到問題，本實用新型的一主要目的在于提供一種硅晶片測試載板，特別是一種可替換式的硅晶片測試載板，除了可以取代目前使用探針的針頭直接與晶粒上的焊墊接觸而不需隨時進行清針的動作外，還可以根據不同硅晶片的測試需求而并可快速且方便地替換測試所需的相應的硅晶片測試載板，故可以增加硅晶片級測試的速度。?

依據上述目的，本實用新型提供一種硅晶片測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對于上表面的一下表面，在印刷電路板的上表面上具有多個第一電性連接點，在印刷電路板的下表面上具有多個第二電性連接點，其所述第一電性連接點與所述第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對于上表面的一下表面，在彈性薄膜層上具有多個由彈性薄膜層的上表面貫穿至彈性薄膜層的下表面的貫穿孔；多個金屬材質，填入所述貫穿孔，位于所述貫穿孔的所述金屬材質于彈性薄膜層的上表面形成多個上焊墊，于彈性薄膜層的下表面形成多個下焊墊；及一圖案區，圖案區具有一貫穿區，并于貫穿區的邊緣延伸形成多個引腳，引腳與貫穿區的邊緣的連接端形成一連接點，引腳于延伸于貫穿區的自由端形成一量測端；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板的下表面，且所述第二電性連接點與所述上焊墊電性連接，而圖案區連接彈性薄膜層的下表面，且所述下焊墊與所述連接點電性連接。?

依據上述目的，本實用新型再提供一種硅晶片測試載板，包括：一印刷電路板，具有一上表面及相對于上表面的一下表面，在印刷電路板的上表面上具有多個第一電性連接點，在印刷電路板的下表面上具有多個第二電性連接點，其所述第一電性連接點與所述第二電性連接點彼此相互電性連接；一彈性薄膜層，具有一上表面及相對于上表面的一下表面，在彈性薄膜層上具有多個由彈性薄膜層的上表面貫穿至彈性薄膜層?的下表面的貫穿孔；多個金屬材質，是填入所述貫穿孔，位于所述貫穿孔的所述金屬材質于彈性薄膜層的上表面形成多個上焊墊，于彈性薄膜層的下表面形成多個下焊墊；及多個圖案區，每圖案區具有一貫穿區，并于貫穿區的邊緣延伸形成多個引腳，引腳與貫穿區的邊緣的連接端形成一連接點，引腳于延伸于貫穿區的自由端形成一量測端；其中，彈性薄膜層連接印刷電路板的下表面，且所述第二電性連接點與所述上焊墊電性連接，而所述圖案區連接彈性薄膜層的下表面，且所述下焊墊與所述連接點電性連接。?

其中，上述兩種硅晶片測試載板，該彈性薄膜層為一高分子材料。?

其中，該高分子材料為聚酰亞胺。?

其中，上述兩種硅晶片測試載板，該彈性薄膜層的所述貫穿孔是以蝕刻制程的方式形成。?

其中，上述兩種硅晶片測試載板，該金屬材質是以沉積或電鍍的制程填入所述貫穿孔。?