[實用新型]一種TFT陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220717780.8
• 申請日: 2012-12-21
• 公開（公告）號: CN202948926U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及顯示領域，尤其涉及一種TFT(Thin?FilmTransistor，薄膜場效應晶體管)陣列基板及顯示裝置。

背景技術

目前，為了實現高分辨率，高開口率以及GOA(Gate?Driver?onArray，陣列基板行驅動)技術的應用，AD-SDS(Advanced-SuperDimensional?Switching，簡稱為ADS，高級超維場開關)型陣列基板從最初的6次掩膜工藝轉化為7次掩膜工藝。

在現有技術中，應用7次掩膜：柵金屬層掩膜，有源層掩膜，柵絕緣層掩膜，第一電極層掩膜，源漏金屬層掩膜，鈍化層掩膜以及第二金屬層掩膜來制作完成陣列基板。

上述陣列基板的制作應用了7次掩膜工藝，應用掩膜工藝次數較多，導致產品的產能下降，且制作成本較高。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種TFT陣列基板及顯示裝置，可以減少進行掩膜工藝即構圖工藝的次數，降低工藝復雜度及制作成本。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，還包括：通過一次構圖工藝形成的帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。

優選的，所述TFT陣列基板還包括：鈍化層圖案以及包括第二電極的圖案。

所述包括第一電極的圖案和所述包括第二電極的圖案同層設置，所述包括第一電極的圖案包含多個第一條形電極，所述包括第二電極的圖案包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置?；蛘撸霭ǖ谝浑姌O的圖案和所述包括第二電極的圖案異層設置，其中位于上層的電極圖案包含多個條形電極，位于下層的電極圖案包含多個條形電極或為平板形。

優選的，所述包括源漏電極的圖案至少包括源漏電極以及覆蓋所述柵絕緣層的過孔的連接金屬層，所述連接金屬層通過所述過孔與所述柵極走線連接。

優選的，所述鈍化層圖案包括鈍化層過孔，所述鈍化層過孔位于所述連接金屬層的上方。

優選的，所述包括第二電極的圖案包括第二電極以及覆蓋所述鈍化層過孔的連接電極，所述連接電極用于連接外部輸入信號和所述連接金屬層。

本實用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

上述技術方案提供的一種TFT陣列基板及顯示裝置，通過一次構圖工藝，形成所述帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，與現有技術中的通過兩次構圖工藝分別完成帶有過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案相比，減少了進行構圖工藝即掩膜工藝的次數，降低工藝復雜度及制作成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；

圖2～圖8為本實用新型實施例提供的一種制作過程中的基板的結構示意圖。

附圖標記：

11-包括柵極的圖案，12-半色調或灰色調掩膜板，14-柵絕緣層圖案，15-包括有源層的圖案，16-第一電極，17-包括源漏電極的圖案，18-鈍化層圖案，19-第二電極，20-連接電極；111-柵極，112-柵極走線，131-光刻膠完全去除部分，132-光刻膠半保留部分，1331-第一光刻膠完全保留部分，1332-第二光刻膠完全保留部分，171-漏極，172-源極，173-連接金屬層。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

本實用新型實施例提供了一種TFT陣列基板，包括設置在基板上的包括柵極的圖案，包括源漏電極的圖案，包括第一電極的圖案，以及通過一次掩膜工藝形成的帶過孔的柵絕緣層圖案和包括有源層的圖案，其中，所述包括柵極的圖案至少包括柵極和柵極走線，所述柵絕緣層的過孔位于所述柵極走線的上方，所述包括有源層的圖案位于所述柵極，以及所述柵絕緣層的過孔周邊區域的上方。