[實用新型]半導體激光打標機有效
| 申請號： | 201220698614.8 | 申請日： | 2012-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN202965519U | 公開（公告）日： | 2013-06-05 |
| 發明（設計）人： | 余廷義;周超 | 申請（專利權）人： | 深圳深愛半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | B41J2/435 | 分類號： | B41J2/435;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 激光 打標機 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體激光打標機，包括激光發射裝置，所述激光發射裝置包括依次間隔設置的第一鏡片、激光發生器、激光控制器以及第二鏡片，其特征在于，所述激光發生器為半導體泵浦固體激光器。
2.根據權利要求1所述的半導體激光打標機，其特征在于，所述激光控制器為聲光Q開關。
3.根據權利要求2所述的半導體激光打標機，其特征在于，所述聲光Q開關包括石英晶體、壓電換能器和射頻模塊，所述射頻模塊與壓電換能器連接，用于向壓電換能器施加射頻信號，所述壓電換能器與石英晶體相對設置，用于根據所述射頻信號向石英晶體發射超聲波。
4.根據權利要求2所述的半導體激光打標機，其特征在于，所述聲光Q開關為水冷或風冷聲光Q開關。
5.根據權利要求1所述的半導體激光打標機，其特征在于，所述第一鏡片為全反射鏡。
6.根據權利要求1所述的半導體激光打標機，其特征在于，所述第二鏡片為半反射鏡。
7.根據權利要求1所述的半導體激光打標機，其特征在于，所述第一鏡片、所述半導體泵浦固體激光器、所述激光控制器和所述第二鏡片之間的間距可調。
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