[實用新型]清洗機擺動噴淋裝置有效
| 申請號: | 201220696491.4 | 申請日: | 2012-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN203002676U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 史彥慧;吳儀 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | B08B3/02 | 分類號: | B08B3/02 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 韓國勝 |
| 地址: | 100015 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 擺動 噴淋 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體工業領域,尤其涉及一種用于晶片清洗的清洗機擺動噴淋裝置。
背景技術
目前,清洗機用化學藥液噴頭噴出的化學藥液都是垂直噴射到晶片表面。現在半導體用銅互連晶片直徑有300mm,晶片在清洗過程中持續旋轉,其中心位置與邊緣位置的線速度差距明顯。當藥液以同樣的垂直方向沖擊到晶片表面時,晶片中心位置與邊緣位置由于角速度的差異巨大,接觸到垂直而下的化學藥液碰撞會產生不同的反濺反應。晶片的邊緣位置角速度大,對垂直藥液流的反濺比較大,即便在較小的噴淋臂的運動速度下,外邊緣位置溝槽內的溶解光刻膠和顆粒很難被帶走。現需要提供技術來解決藥液垂直噴射到晶片的邊緣位置發生猛烈反濺作用而影響清洗效果的問題。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是提供一種能對晶片中心位置與邊緣位置進行良好清洗的清洗機擺動噴淋裝置。
(二)技術方案
為達上述目的,本發明的清洗機擺動噴淋裝置包括噴淋臂、噴頭和驅動裝置,所述噴頭與所述噴淋臂連接,所述噴頭在驅動裝置控制下擺動。
優選的,所述噴頭與所述噴淋臂鉸接形成第一鉸接處。
優選的,所述驅動裝置為氣缸,所述氣缸的活塞桿與所述噴頭連接。
優選的,所述活塞桿與所述噴頭鉸接形成第二鉸接處。
優選的,所述清洗機擺動噴淋裝置還包括保護套,所述第一鉸接處、第二鉸接處和活塞桿置于保護套內。
(三)有益效果
本發明采用上述技術方案提供的裝置,噴頭在晶片中心位置垂直噴射到晶片表面,在晶片邊緣位置化學藥液傾斜射入晶片表面。較大的沖擊力可以補償晶片的中心位置線速度小顆粒不易從溝槽內被藥液帶走的問題。晶片邊緣位置已經有很大的線速度,液體傾斜噴射到晶片表面不會在表面發生大的沖擊,化學藥液可以進入到溝槽深處顆粒隨著液流被帶走。采用本發明的清洗機擺動噴淋裝置使晶片中心位置和邊緣位置都有很好的清洗效果。
附圖說明
圖1是本發明清洗機擺動噴淋裝置的結構示意圖;
圖2是晶片中心位置液流反濺示意圖;
圖3是晶片邊緣位置液流反濺示意圖。
圖中,1:噴淋臂;2:噴頭;3:氣缸;4:活塞桿;5:第一鉸接處;6:第二鉸接處;7:保護套;8:晶片;9:垂直液流;10:傾斜液流。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明清洗機擺動噴淋裝置作進一步詳細說明。以下實施例用于說明本發明,但不用來限制本發明的范圍。
在本發明的描述中,需要說明的是,術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系,僅是為了便于描述本發明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本發明的限制。此外,術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。
在本發明的描述中,需要說明的是,除非另有明確的規定和限定,術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言,可以具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
此外,在本發明的描述中,除非另有說明,“多個”的含義是兩個或兩個以上。
如圖1所示,本發明的清洗機擺動噴淋裝置包括噴淋臂1、噴頭2和驅動裝置,所述噴頭2與所述噴淋臂1鉸接形成第一鉸接處5,所述噴頭2在驅動裝置控制下擺動。所述驅動裝置可為氣缸、液壓缸、絲桿和齒輪等可以實現擺動運動的裝置。
其中,所述驅動裝置為氣缸3,所述氣缸3的活塞桿4與所述噴頭2鉸接形成第二鉸接處6,所述氣缸3與壓縮空氣連接。
其中,所述清洗機擺動噴淋裝置還包括保護套7,所述第一鉸接處5、第二鉸接處6和活塞桿4置于保護套內。噴頭在移動過程中第一鉸接處、第二鉸接處和活塞桿會發生摩擦易產生顆粒,將第一鉸接處、第二鉸接處和活塞桿置于保護套內,摩擦產生顆粒不易調入晶片表面。
根據所述的清洗機擺動噴淋裝置進行擺動噴淋的方法,包括以下步驟:
S1.使待清洗的晶片8自轉,將噴頭2在噴淋臂1作用下移入晶片8中心位置后,噴頭2開始噴出流體對晶片8進行清洗,此時噴頭2與晶片8垂直;
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