[實用新型]一種新型薄膜混合集成電路成膜基片有效
| 申請號： | 201220684437.8 | 申請日： | 2012-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN203205420U | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 北京飛宇微電子有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/01 | 分類號： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100027 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 薄膜 混合 集成電路 成膜基片 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜混合集成電路產品的薄膜成膜基片，其特征是：其結構為在襯底的同一平面上集成了多個方阻的薄膜電阻和互聯導帶膜。?
2.根據權利要求1所述的薄膜混合集成電路產品的薄膜成膜基片，其膜電阻結構特征是：不同方阻的薄膜電阻均是各個不同方阻的單一電阻材料薄膜，同時薄膜電阻引出端電極也均是導帶膜和各個不同方阻單一電阻膜疊加組成。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
