[實用新型]太陽能電池片的上下式電極結構有效
| 申請號: | 201220673260.1 | 申請日: | 2012-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN202957263U | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 盛健;威靈頓·皮埃爾J | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 常州市科誼專利代理事務所 32225 | 代理人: | 孫彬 |
| 地址: | 213022 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 上下 電極 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及光電技術領域,特別是涉及一種太陽能電池片的電極結構。
背景技術
隨著全球能源的日趨緊張,太陽能以無污染、市場空間大等獨有的優勢受到廣泛重視。光伏發電具有安全可靠、無噪聲、故障率低等優點,太陽能電池是光伏發電技術中將太陽能直接轉化為電能的主要部件。
常見的晶體硅太陽能電池是由背面電極、半導體材料構成的P型層、N型層、P—N結、減反射薄膜、正面柵電極等部分組成。當太陽光照射到太陽能電池表面時,減反射薄膜和絨面結構可有效減少電池表面的光反射損失。太陽能電池中的半導體結構吸收太陽能后。激發產生電子、空穴對,電子、空穴對被半導體內部P—N結自建電場分開,電子流進入N區,空穴流入P區,形成光生電場,如果將晶體硅太能能電池的正、負極與外部電路連接,外部電路中就有光生電流通過。
目前多數的晶體硅太陽能電池電池采用P型硅片,經過磷擴散后形成P—N結,在P型硅上制作背電極和背場,在擴散形成的N面制作正面柵電極,整個器件利用P—N結的光生伏特效應來工作。對于125mm×125mm的單晶硅或多晶硅電池的正面柵電極一般采用兩條主柵線,對于156mm×156mm的單晶硅或多晶硅電池的正面柵電極可增加到三條主柵線。然后再垂直于主柵線的兩邊加上一定數目的均勻且平行分布的副柵線。在光照下晶體硅太陽能電池產生的電流通過副柵線和主柵線相互導通,主柵線構成電池的負電極,電流匯聚到主柵線上導出。但這種電池的電流收集方式還存在下根不足,即只能統一發電,只有一種供電方式,在供電需求不足時,往往會造成浪費。
發明內容
本實用新型的目的是提供一種具有多個獨立發電單元的太陽能電池片的上下式電極結構,各部分獨立單元可以在并聯后合并使用,也可以作為單獨發電單元使用。
實現本實用新型目的的技術方案是:一種太陽能電池片的上下式電極結構,包括背電極和正面柵電極,背電極分布于太陽能電池片的背面,正面柵電極分布于太陽能電池片的正面,正面柵電極包括相互平行的主柵線和多根與主柵線相垂直的副柵線,主柵線包括三列,且每列由通過橫向間隔隔開的上、下兩根主柵線組成,橫向間隔的寬度為0.5mm~4mm。
所述背電極包括相互平行的三列,且每列由通過背面橫向間隔隔開的上、下兩根背電極組成,背面橫向間隔的寬度h為8mm~30mm。
進一步,靠近中間一列主柵線旁還設置有一列主柵線,該列主柵線也由通過橫向間隔的隔開的上、下兩根主柵線組成,且這列主柵線與中間一列主柵線之間有豎向間隔,該豎向間隔7的寬度為0.2mm~2mm。
更進一步,中間一列背電極旁還設置有一列背電極,該列背電極由通過背面橫向間隔的隔開的上、下兩根背電極組成,且這列背電極與中間一列背電極之間有背面豎向間隔,該背面豎向間隔的寬度為0.2mm~2mm。
采用上述技術方案后,電池片正面上下兩部分電極互不相聯,可以獨立進行電流收集。上下兩部分間隔距離控制在0.5mm-4mm,也可以通過組件工藝將上下兩部分同時并聯使用。避免了供電需求不足時的浪費。
采用進一步的技術方案后,電池片正面上下、左右四部分電極互不相聯,可以獨立進行電流收集。單個單元可以和相鄰的單元,上下或者左右并聯使用,也可以通過組件工藝將四部分同時并聯使用。使得電池片的使用更加靈活。
附圖說明
圖1為本實用新型的實施例一的主視圖;
圖2為圖1的后視圖;
圖3為本實用新型的實施例二的主視圖;
圖4為圖3的后視圖。
圖中標記為:1、主柵線,2、橫向間隔,3、副柵線,4、背電極,5、背場6、電池片,7、豎向間隔,8背面豎向間隔。
具體實施方式
為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解,下面根據具體實施例并結合附圖,對本實用新型作進一步詳細的說明。
實施例一
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州天合光能有限公司,未經常州天合光能有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220673260.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種蓄電池極柱固定結構
- 下一篇:一種香菇多糖注射液制劑及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





