[實用新型]一種非晶硅電池使用的p型半導體有效

申請號：	201220659583.5	申請日：	2012-12-05
公開（公告）號：	CN202977440U	公開（公告）日：	2013-06-05
發明（設計）人：	高平奇;孔英;王寬冒;黃艷紅;云驍健	申請（專利權）人：	保定風帆光伏能源有限公司
主分類號：	H01L31/0376	分類號：	H01L31/0376;H01L31/0352
代理公司：	保定市燕趙恒通知識產權代理事務所 13121	代理人：	楊玉清
地址：	071051 河***	國省代碼：	河北;13
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種非晶硅電池使用半導體
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【權利要求書】：

1.一種非晶硅電池使用的p型半導體，其特征在于：其由p+層半導體薄膜和p-層半導體薄膜構成，p+層半導體薄膜和p-層半導體薄膜均為非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+層半導體薄膜的暗電導為1×10^-5～5×10^-5S/cm，能帶隙為1.8～1.9?eV,?厚度為40～80??；p-層半導體薄膜的暗電導為1×10^-7～5×10^-7?S/cm，能帶隙為2～2.1?eV，厚度為30～100??。

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