[實用新型]一種雙KTP倍頻和電光調Q集成器件

有效

• 申請號: 201220658086.3
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN202997296U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 張會云;張曉;尹貽恒;張洪艷;劉蒙;張玉萍
• 申請（專利權）人: 山東科技大學
• 主分類號: H01S3/115
• 分類號: H01S3/115;H01S3/109
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.?一種雙KTP倍頻和電光調Q集成器件，包括外殼、電極、電光晶體，其特征在于：

電光晶體包括兩塊非臨界溫度相位匹配切割的KTP晶體，從左到右依次設置第一塊KTP晶體（1）和相對第一塊KTP晶體（1）旋轉90°放置的KTP晶體（2）；

在第一塊KTP晶體（1）的上通電面鍍金膜（3），下通電面鍍金膜（4），在相對第一塊KTP晶體旋轉90°放置的第二塊KTP晶體（2）的前通電面鍍金膜（5），后通電面鍍金膜（6）；從第一塊KTP晶體（1）的上通電面鍍金膜（3）和第二塊KTP晶體（2）的前通電面鍍金膜（5）引出金線，連接到正電極（7）；從第一塊KTP晶體（1）的下通電面鍍金膜（4）和第二塊KTP晶體（2）的后通電面鍍金膜（6）引出金線，連接到負電極（8）；

器件電光調Q作用時采用退壓工作方式。

2.?根據權利要求1所述的一種雙KTP倍頻和電光調Q集成器件，其特征在于：

第一塊KTP晶體（1）和相對第一塊KTP晶體旋轉90°放置的KTP晶體（2）為低電導率的KTP晶體。

3.?根據權利要求1所述的一種雙KTP倍頻和電光調Q集成器件，其特征在于：?

第一塊KTP晶體（1）和相對第一塊KTP晶體旋轉90°放置的KTP晶體（2）的通光面為正方形。

4.?根據權利要求1所述的一種雙KTP倍頻和電光調Q集成器件，其特征在于：

第一塊KTP晶體（1）和相對第一塊KTP晶體旋轉90°放置的KTP晶體（2）相對的內通光面用絕緣透明的光膠相連，外通光面鍍1064nm和532nm雙色增透膜。

5.?根據權利要求1所述的一種雙KTP倍頻和電光調Q集成器件，其特征在于：

第一塊KTP晶體（1）和相對第一塊KTP晶體旋轉90°放置的KTP晶體（2）依次放置，內通光面和外通光面鍍1064nm和532nm雙色增透膜。