[實用新型]基于閃存-SRAM流水線的存儲電路有效
| 申請號： | 201220652404.5 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN203133810U | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發明（設計）人： | 肖喜中;王躍明;郎均慰;陳楊;王晟瑋;莊曉瓊;鮑智康 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G06F3/06 | 分類號： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 閃存 sram 流水線 存儲 電路 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于閃存與SRAM流水線結構的存儲電路，包括相機模塊、FPGA主控模塊、SRAM緩存模塊和閃存存儲模塊，其特征在于：
所述的SRAM緩存模塊與閃存存儲模塊的工作時鐘之比是1:2；
所述的SRAM緩存模塊選取16比特數據位寬，寫周期小于100ns；
所述的閃存存儲模塊的編程時間是200μs，閃存容量大于1GB；
電路系統工作時，相機模塊產生的數據流經由FPGA主控模塊調度，以流水線的方式依次寫入閃存存儲模塊以及SRAM緩存模塊中，并不斷重復此過程，并不一次性寫入SRAM緩存模塊內；在相機模塊不產生數據流的間歇期內，FPGA主控模塊通過時序調度將SRAM緩存模塊內的數據轉移至閃存存儲模塊中。
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