[實用新型]一種帶電壓過沖門檻限制的IGBT串聯動靜態均壓電路有效

申請號：	201220650690.1	申請日：	2012-11-30
公開（公告）號：	CN202940722U	公開（公告）日：	2013-05-15
發明（設計）人：	張茂強;汪濤;李樂樂;劉磊;陳赤漢	申請（專利權）人：	南京南瑞繼保電氣有限公司;南京南瑞繼保工程技術有限公司
主分類號：	H02M1/06	分類號：	H02M1/06
代理公司：	南京經緯專利商標代理有限公司 32200	代理人：	許方
地址：	211102 江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種電壓門檻限制 igbt 串聯靜態壓電
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【權利要求書】：

1.一種帶電壓過沖門檻限制的IGBT串聯動靜態均壓電路，其特征在于：包括兩個均壓電容、兩個均壓電阻、門極電阻、均壓二極管、門極二極管和門極TVS管，其中，第一均壓電阻與第一均壓電容并聯后，該并聯電路的一端連接IGBT的集電極，另一端分別連接第二均壓電容的一端、均壓二極管的陽極和門極二極管的陽極，所述均壓二極管的陰極則經由第二均壓電阻連接第二均壓電容的另一端；所述門極二極管的陰極與門極TVS管的陰極連接，而門極TVS管的陽極經由門極電阻連接IGBT的門極，所述IGBT的功率發射極連接在第二均壓電容與第二均壓電阻之間。

2.如權利要求1所述的一種帶電壓過沖門檻限制的IGBT串聯動靜態均壓電路，其特征在于：所述第一均壓電阻的阻值是第二均壓電阻的阻值的至少10倍，第一均壓電容的容值是第二均壓電容的容值的至少10倍，均壓二極管的反向耐壓值大于IGBT關斷后其集電極與功率發射極之間的電壓值。

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