[實(shí)用新型]測(cè)試裝置及其探針構(gòu)造有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220645657.X | 申請(qǐng)日: | 2012-11-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202929164U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金永斌;府偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26;G01R1/073 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 215021 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試 裝置 及其 探針 構(gòu)造 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種測(cè)試裝置及其探針構(gòu)造,特別是涉及一種用于開(kāi)爾文(Kelvin)測(cè)試的測(cè)試裝置及其探針構(gòu)造。
背景技術(shù)
電子工業(yè)是近年來(lái)發(fā)展速度最快的重要產(chǎn)業(yè),其使用的主要電子元件均以半導(dǎo)體封裝(semiconductor?packaging)為主流,為了達(dá)到轉(zhuǎn)薄短小的趨勢(shì),各種高密度、高效能的半導(dǎo)體封裝構(gòu)造也就因應(yīng)而生,其中許多封裝構(gòu)造種類都是以封裝基板(substrate)為基礎(chǔ)來(lái)進(jìn)行封裝架構(gòu),例如球柵陣列封裝構(gòu)造(ball?grid?array,BGA)、針腳陣列封裝構(gòu)造(pin?grid?array,PGA)、接點(diǎn)陣列封裝構(gòu)造(land?grid?array,LGA)等,皆為目前半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的主流產(chǎn)品;另外,常見(jiàn)使用導(dǎo)線架的封裝構(gòu)造例如為小外型封裝構(gòu)造(small?outline?package,S?OP)、方型扁平封裝構(gòu)造(quad?flat?package,QFP)或方形扁平無(wú)引腳封裝構(gòu)造(quad?flat?no-lead?package,QFN)等。
一般而言,在完成芯片與承載器的封裝制造過(guò)程之后,會(huì)依照所指定的各項(xiàng)測(cè)試流程,對(duì)封裝完成的成品進(jìn)行成品測(cè)試(final?test),以檢測(cè)出不符合質(zhì)量(quality)要求的半導(dǎo)體封裝成品。其中,成品測(cè)試的流程包括產(chǎn)品外觀質(zhì)量檢測(cè)(incoming?quality?assurance,IQA)、功能性測(cè)試(functio?ntest)、老化測(cè)試(burn-in?test)以及開(kāi)路/短路測(cè)試(open/short?test)等。
在一般的半導(dǎo)體封裝元件的開(kāi)爾文(Kelvin)測(cè)試中,需同時(shí)將兩個(gè)測(cè)試探針接觸于同一個(gè)測(cè)試點(diǎn)(如接墊)上。通常,開(kāi)爾文(Kelvin)測(cè)試是同時(shí)使用C形的測(cè)試探針及一般彈簧探針來(lái)對(duì)半導(dǎo)體元件的引腳或接墊進(jìn)行電性測(cè)試。然而,C形的測(cè)試探針的成本較高且保養(yǎng)費(fèi)時(shí),因此不利于降低半導(dǎo)體封裝元件的開(kāi)爾文測(cè)試成本。
故,有必要提供一種測(cè)試裝置及其探針構(gòu)造,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的一目的在于提供一種測(cè)試裝置,所述測(cè)試裝置包括測(cè)試座及多個(gè)測(cè)試探針對(duì),測(cè)試座包括多個(gè)探針孔,多個(gè)測(cè)試探針對(duì)是插設(shè)于所述測(cè)試座的所述探針孔內(nèi),其中每一所述測(cè)試探針對(duì)包括一第一彈簧探針與一第二彈簧探針,所述第一彈簧探針的第一接觸端是偏離于所述第一彈簧探針的中心軸,所述第二彈簧探針的第二接觸端是偏離于所述第一彈簧探針的中心軸,所述第一接觸端與所述第二接觸端之間的距離是介于0.5毫米與0.1毫米之間。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種測(cè)試裝置的探針構(gòu)造,所述探針構(gòu)造包括多個(gè)測(cè)試探針對(duì),其中每一所述測(cè)試探針對(duì)包括一第一彈簧探針與一第二彈簧探針,所述第一彈簧探針的第一接觸端是偏離于所述第一彈簧探針的中心軸,所述第二彈簧探針的第二接觸端是偏離于所述第一彈簧探針的中心軸,所述第一接觸端與所述第二接觸端之間的距離是介于0.5毫米與0.1毫米之間。
相較于現(xiàn)有測(cè)試裝置所存在的問(wèn)題,本實(shí)用新型的測(cè)試裝置可組合一對(duì)彈簧探針(pogo-pin)來(lái)進(jìn)行開(kāi)爾文測(cè)試,并可減少每一測(cè)試探針對(duì)的兩接觸端之間的距離(針距),因而可適用于微小測(cè)試接點(diǎn)的待測(cè)封裝結(jié)構(gòu)(例如方形扁平無(wú)引腳封裝構(gòu)造QFN),且可大幅降低測(cè)試裝置的成本,并方便于進(jìn)行探針的保養(yǎng)。
為讓本實(shí)用新型的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下:
附圖說(shuō)明
圖1顯示依照本實(shí)用新型的一實(shí)施例的測(cè)試裝置的概略示意圖;
圖2顯示依照本實(shí)用新型的一實(shí)施例的測(cè)試探針對(duì)的立體示意圖;
圖3顯示依照本實(shí)用新型的一實(shí)施例的測(cè)試探針對(duì)的示意圖;以及
圖4及圖5顯示依照本實(shí)用新型的一實(shí)施例的彈簧探針的偏心件的示意圖。
具體實(shí)施方式
以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式,用以例示本實(shí)用新型可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本實(shí)用新型所提到的方向用語(yǔ),例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本實(shí)用新型,而非用以限制本實(shí)用新型。
在圖中,構(gòu)造相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
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