[實用新型]一種固態(tài)繼電器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220643571.3
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN202978871U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 黃春陽;彭德教;吳建和;張有根
• 申請（專利權）人: 愛克斯電氣有限責任公司
• 主分類號: H03K17/78
• 分類號: H03K17/78;H03K17/72
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

技術領域

本實用新型涉及一種低壓電器，尤其是一種固態(tài)繼電器。

背景技術

隨著現(xiàn)代電子技術的發(fā)展，對于隔離驅動、隔離切換電路的場合，已經(jīng)形成了光電隔離固態(tài)繼電器廣泛應用的局面，目前廣泛應用的直流控制固態(tài)繼電器的導通電壓與截止電壓近似相等，當輸入在臨界值附近時，由于電網(wǎng)雜訊干擾，如電機等，固態(tài)繼電器會出現(xiàn)抖動，無法正常動作，造成失控或誤動作，嚴重影響控制設備的穩(wěn)定性和控制精度。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種使固態(tài)繼電器導通電壓與截止電壓分離的固態(tài)繼電器。

為解決上述問題，本實用新型采用的技術方案包括輸入電路、隔離電路、輸出電路，其特征在于：所述輸入電路上設置施密特觸發(fā)電路，所述施密特觸發(fā)電路使固態(tài)繼電器導通電壓與截止電壓分離。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述置施密特觸發(fā)電路主要由電阻R1、R2、R3、R4，電容C2，穩(wěn)壓管Z1，PNP型三極管Q1、NPN型三極管Q2組成，所述PNP型三極管Q1和NPN型三極管Q2構成正反饋回路，使輸出的導通電壓和截止電壓分離。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述的輸入電路上還設置主要由二極管D1、D2和電阻R7組成的恒流源電路，所述恒流源電路使輸入電壓幅度變寬。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述的輸入電路上還設置主要由電阻R6和發(fā)光二極管LD1組成的工作狀態(tài)指示電路。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述的輸出電路主要由電阻R10、R11，二極管D4、D5和單相可控硅T1、T2組成，所述單相可控硅T1、T2采用反向并聯(lián)。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述的輸出電路上還設置主要由電阻R8和R9組成的分壓電路，所述分壓電路分壓光電耦合器上的分壓。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述的輸出電路上還設置主要由電阻R12和電容C3組成的RC阻容吸收電路。

所述固態(tài)繼電器，其特征在于：所述的隔離電路采用過零觸發(fā)光電耦合器。

本實用新型的固態(tài)繼電器，如圖2（輸入信號波形）所示，當電壓上升到導通門限電壓值時，固態(tài)繼電器導通，此時如果干擾電壓在高于截止電壓的范圍波動，固態(tài)繼電器保持導通狀態(tài)不變；如圖2（輸出控波形）所示，當電壓下降到截止門限電壓值，固態(tài)繼電器截止，如果此時干擾電壓在低于導能電壓的范圍內波動，固態(tài)繼電一直保持截止狀態(tài)不變。導通~截止電壓的差值就是滯回值，滯回值越大，固態(tài)繼電器反應越遲鈍，控制精度降低，反之，抗干擾能力則變低，實驗證明，如滯回值在1~1.5V比較合適，既保證了控制精度，又使產(chǎn)品符合相關的EMC標準，大大提高了搞干擾性能和控制精度。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

圖1為本實用新型的電路圖；

圖2實用新型的輸入輸出波形圖。

具體實施方式

如圖1至圖2所示，本實用新型的固態(tài)繼電器，包括輸入電路、隔離電路、輸出電路，所述輸入電路上設置施密特觸發(fā)電路，所述施密特觸發(fā)電路使固態(tài)繼電器導通電壓與截止電壓分離。

所述置施密特觸發(fā)電路主要由電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4，電容C2，穩(wěn)壓管Z1，PNP型三極管Q1、NPN型三極管Q2組成，所述PNP型三極管Q1和NPN型三極管Q2構成正反饋回路，使輸出的導通電壓和截止電壓分離。

所述的輸入電路上還設置主要由二極管D1、二極管D2和電阻R7組成的恒流源電路，能使輸入電壓幅度變寬，在DC4~36V范圍內，開關管Q3能可靠地驅動光電耦合器，避免因輸入電流過大而燒壞光耦，提高固態(tài)繼電器的可靠性。所述的輸入電路上還設置主要由電阻R6和發(fā)光二極管LD1組成的工作狀態(tài)指示電路，固態(tài)繼電器導通時指燈亮，截止時熄滅。所述的輸出電路主要由電阻R10、電阻R11，二極管D4、二極管D5和單相可控硅T1、單相可控硅T2組成，所述單相可控硅T1、單相可控硅T2采用反向并聯(lián)，增大可控硅的散熱面積，使用大電流時發(fā)熱均勻，提高產(chǎn)品可靠性。所述的輸出電路上還設置主要由電阻R8和R9組成的分壓電路，所述分壓電路分壓光電耦合器上的分壓，提高產(chǎn)品可靠性。所述的輸出電路上還設置主要由電阻R12和電容C3組成的RC阻容吸收電路，避免可控硅因外部干擾造成誤觸發(fā)，提高搞干擾能力。所述的隔離電路采用過零觸發(fā)光電耦合器，光電耦合器IC1是一種半導體光電器件，它具有體積小、壽命長、抗干擾能力強、工作溫度寬及無觸點輸入與輸出、在電氣上完全隔離、零相位觸發(fā)等特點。

工作過程：?