[實(shí)用新型]用于彈性波裝置的復(fù)合基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220640780.2
• 申請(qǐng)日: 2012-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN202998016U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 多井知義;堀裕二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/02
• 分類號(hào): H03H9/02
• 代理公司: 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 楊勇;洪玉姬

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種用于彈性波裝置的復(fù)合基板，尤其是涉及一種通過粘合壓電基板和復(fù)合基板而形成的用于彈性波裝置的復(fù)合基板。

背景技術(shù)

彈性波濾波器等彈性波裝置，作為帶通濾波器被廣泛用于移動(dòng)電話等此類通信設(shè)備上。近年來，雖然通信設(shè)備的高頻化發(fā)展，但使彈性波濾波器在超過3GHz的高頻下工作是比較困難的。

實(shí)用新型內(nèi)容

實(shí)用新型要解決的課題

用于在這樣的高頻下工作的彈性波濾波器的、通過粘合壓電基板和支撐基板而形成的復(fù)合基板，考慮使用薄膜壓電體。通常制備薄膜壓電體會(huì)采用一種叫Smart?Cut(智能剝離)的技術(shù)。即粘合表面被注入高速氫離子的壓電基板和支撐基板后，通過施加應(yīng)力從而剝離壓電體的技術(shù)。在該方法中，為了恢復(fù)因這種離子注入對(duì)晶體所造成的損傷，需要用某種程度的高溫進(jìn)行退火。但是這種方法難以恢復(fù)成完全的結(jié)晶性，并且存在高溫?zé)崽幚韺?dǎo)致的防止熱釋電效應(yīng)(pyroelectric?effect)惡化等問題。

另外，通過研磨由壓電基板和支撐基板粘合而形成的復(fù)合基板，從而使壓電基板變薄的方法是已知的，但是，使用目前的方法會(huì)產(chǎn)生壓電基板破損等不良現(xiàn)象，而使壓電基板薄于1μm以下是有困難的。因此對(duì)壓電基板進(jìn)行磨削加工使其厚度達(dá)到5μm之后，用化學(xué)蝕刻壓電基板去除加工損傷層。將厚度蝕刻至1μm之后，用CMP(Chemical?Mechanical?Polishing：化學(xué)機(jī)械拋光)將最表面拋成鏡面。通過此種方法降低對(duì)壓電基板的應(yīng)力負(fù)荷，實(shí)現(xiàn)具備1μm以下厚度的壓電層的復(fù)合基板。

另外，利用化學(xué)氣相沉積(Chemical?Vapor?Deposition)制備薄膜壓電體的嘗試也進(jìn)行了多年。但是存在不能任意決定晶軸的問題，此外，而且本身也得不到優(yōu)質(zhì)的結(jié)晶。

本實(shí)用新型是為了解決上述現(xiàn)有問題而提出的，其目的在于提供一種適用于在高頻下工作的彈性波濾波器的、優(yōu)質(zhì)的用于彈性波裝置的復(fù)合基板。

解決課題的方法

本實(shí)用新型是一種用于彈性波裝置的復(fù)合基板，該復(fù)合基板通過粘合由可傳播彈性波的壓電晶體構(gòu)成的壓電基板和熱膨脹系數(shù)小于所述壓電基板的支撐基板而形成，其特征在于，所述壓電基板，其厚度在1μm以下，其X線搖擺曲線半峰寬小于100arcsec，并且其導(dǎo)電率小于3×10^-9S/cm。

此處，當(dāng)直接接合壓電基板和所述支撐基板時(shí)，優(yōu)選在所述壓電基板和所述支撐基板之間具備非結(jié)晶層。

另外，當(dāng)不直接接合所述壓電基板和所述支撐基板時(shí)，優(yōu)選在所述壓電基板和所述支撐基板之間具備粘結(jié)層。并且該粘結(jié)層的厚度優(yōu)選為0.1μm以上，1.0μm以下。

實(shí)用新型的效果

根據(jù)本實(shí)用新型，能夠提供一種適用于在高頻下工作的彈性波濾波器的復(fù)合基板。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型第一實(shí)施方案的復(fù)合基板的剖面圖。

圖2是本實(shí)用新型第二實(shí)施方案的復(fù)合基板的剖面圖。

附圖標(biāo)記說明

1、2?復(fù)合基板

11?壓電基板

12?支撐基板

13?非結(jié)晶層

14?粘結(jié)層

具體實(shí)施方式

參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的第一實(shí)施方案進(jìn)行說明。圖1是第一實(shí)施方案的復(fù)合基板1的剖面圖。復(fù)合基板1具備壓電基板11、支撐基板12和非結(jié)晶層13，并用于橫向SAW(Surface?Acoustic?Wave：聲表面波)濾波器、梯形SAW濾波器、蘭姆波(Lamb?wave)濾波器等彈性波濾波器。

壓電基板11是由可傳播彈性波的壓電晶體形成的基板，例如，由鉭酸鋰(LiTaO₃)和鈮酸鋰(LiNbO₃)等形成。將壓電基板11的厚度t1調(diào)整為1μm以下，優(yōu)選調(diào)整為0.1μm≤t1≤1μm。另外，控制壓電基板11的X線搖擺曲線半峰寬使其小于100arcsec，并控制壓電基板的導(dǎo)電率使其小于3×10^-9S/cm。此外，導(dǎo)電率通過三端子法測(cè)定。

支撐基板12是粘合于壓電基板11背面的基板。該支撐基板12由熱膨脹系數(shù)小于壓電基板11的材料構(gòu)成。作為支撐基板12的材料，可以列舉出硅、藍(lán)寶石、氧化鋁等。對(duì)支撐基板12的厚度t2沒有特別限定，但優(yōu)選為100μm≤t2≤500μm。此外，像這樣支撐基板12采用熱膨脹系數(shù)小于壓電基板11的材料，由此溫度變化時(shí)的壓電基板11大小的變化被支撐基板12所抑制。即提高了該復(fù)合基板1的溫度特性。