[實用新型]半導體封裝結構有效
| 申請號： | 201220587063.8 | 申請日： | 2012-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN203179867U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 林仲珉 | 申請（專利權）人： | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 226006 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 結構 | ||
1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：芯片，所述芯片表面具有金屬互連結構，位于所述芯片表面且暴露出所述金屬互連結構的絕緣層；位于所述金屬互連結構上的柱狀電極；位于所述柱狀電極側壁表面、頂部表面的擴散阻擋層；位于所述絕緣層表面且覆蓋柱狀電極側壁的擴散阻擋層的鈍化層，所述鈍化層表面與所述柱狀電極頂部的擴散阻擋層表面齊平；位于所述擴散阻擋層表面的焊球。
2.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：位于所述擴散阻擋層表面的浸潤層，所述鈍化層表面與所述柱狀電極頂部的浸潤層表面齊平，所述焊球位于所述浸潤層表面。
3.如權利要求1或2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述擴散阻擋層位于所述柱狀電極側壁表面、頂部表面、柱狀電極底部周圍暴露的金屬互連結構表面，所述擴散阻擋層的剖面形狀為“幾”字形。
4.如權利要求3所述的半導體封裝結構，其特征在于，位于所述擴散阻擋層表面的浸潤層的剖面形狀為“幾”字形。
5.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬互連結構為焊盤和位于所述焊盤表面的電鍍種子層，所述電鍍種子層上形成有柱狀電極。
6.如權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬互連結構包括焊盤、位于所述焊盤表面的電鍍種子層和位于所述電鍍種子層表面的再布線金屬層，所述再布線金屬層上形成有柱狀電極。
7.如權利要求5或6所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括：位于所述絕緣層表面的第一鈍化層，且所述第一鈍化層覆蓋部分焊盤。
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