[實用新型]半導體器件的封裝件有效
| 申請號: | 201220586770.5 | 申請日: | 2012-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN203013710U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 林仲珉;王洪輝 | 申請(專利權)人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 封裝 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種半導體器件的封裝件。
背景技術
封裝是指將器件或電路裝入保護外殼的工藝過程。封裝對于半導體芯片來說是至關重要的,因為半導體芯片必須與外界隔離,以防止空氣中的雜質對半導體芯片的電路腐蝕,造成電氣性能下降。并且,封裝后的半導體芯片也利于安裝和運送。
現有技術的半導體器件的封裝方法,包括:
請參考圖1,提供芯片100,所述芯片100表面形成有集成電路和電連接集成電路的焊盤101;
請參考圖2,形成位于所述芯片100表面的鈍化層103,所述鈍化層103具有暴露出焊盤101的開口105;
請參考圖3,通過所述開口105(圖2所示)在焊盤101表面形成焊球107。
然而,現有技術形成的半導體器件的封裝件的性能不穩定,容易出現短路現象。
更多關于半導體器件的封裝方法請參考公開號為“CN101154640A”的中國專利。
實用新型內容
本實用新型解決的問題是提供一種半導體器件的封裝件,所述半導體器件的封裝件性能穩定,不易短路。
為解決上述問題,本實用新型提供了一種半導體器件的封裝件,包括:芯片,所述芯片表面具有焊盤;位于所述芯片表面的鈍化層,所述鈍化層具有開口,所述開口暴露出部分焊盤;位于所述焊盤表面的凸點,所述凸點的尺寸小于所述開口的尺寸;覆蓋所述凸點表面、且覆蓋開口底部焊盤表面的焊球。
與現有技術相比,本實用新型的技術方案具有以下優點:
一方面,所述焊球形成在凸點上,受重力、浸潤力和表面張力的影響,相鄰焊球間的間隙增大,半導體器件的封裝件不易出現短路現象,器件性能穩定;另一方面,由于凸點的尺寸小于開口的尺寸,所述焊球不僅覆蓋凸點的頂部,還覆蓋凸點的側壁,以及開口底部。所述焊球的底部形成裙擺狀的結構,有效增大了焊球與凸點間的接觸面積,從而增加了兩者的結合力,使得焊球的結合強度增加,提高了半導體器件的封裝件性能和良率。
進一步的,還包括:覆蓋所述凸點的頂部、側壁以及開口底部的防擴散層,以及覆蓋所述防擴散層的浸潤層。所述防擴散層有效阻止了界面合金共化物的產生,所述浸潤層有效阻止了防擴散層的氧化,并提高了焊球與防擴散層間的結合強度,進一步提高了半導體器件的封裝件的性能和良率。
附圖說明
圖1-圖3是現有技術的半導體器件的封裝過程的剖面結構示意圖;
圖4是本實用新型第一實施例的半導體器件的封裝方法的流程示意圖;
圖5-圖7是本實用新型第一實施例的半導體器件的封裝過程的剖面結構示意圖;
圖8是本實用新型第二實施例的半導體器件的封裝方法的流程示意圖;
圖9-圖12是本實用新型第二實施例的半導體器件的封裝過程的剖面結構示意圖;
圖13是本實用新型第三實施例的半導體器件的封裝方法的流程示意圖;
圖14-圖16是本實用新型第三實施例的半導體器件的封裝過程的剖面結構示意圖;
圖17是本實用新型第四實施例的半導體器件的封裝方法的流程示意圖;
圖18-圖20是本實用新型第四實施例的半導體器件的封裝過程的剖面結構示意圖。
具體實施方式
正如背景技術所述,現有技術形成的半導體器件的封裝件的性能不穩定,容易出現短路的現象。
經過研究,發明人發現,現有技術直接在焊盤表面形成焊球,通常形成的焊球為半球形,所述焊球的直徑較大,導致相鄰焊球之間的間隙較小,所述間隙較小的焊球之間極易出現短路,影響半導體器件的封裝件的穩定性。
經過進一步研究,發明人發現,首先在所述焊盤表面形成凸點,然后在所述凸點表面形成焊球時,受到重力、浸潤力與表面張力的影響,形成焊球的錫沿凸點側壁向下流動,所述焊球由半球形向球形過渡,相同質量的焊錫形成的焊球的直徑較現有技術的小,有助于增大相鄰焊球之間的間隙。然而,如果所述焊球僅覆蓋所述凸點的頂部,兩者的結合力可能不夠,焊球極易在后續進行踢球實驗時被踢掉,影響半導體器件的封裝件的良率。
更進一步的,發明人發現,當所述焊球覆蓋凸點的頂部和側壁,并覆蓋部分焊盤時,焊球與凸點間的接觸面積增大,兩者的結合力增大;并且還有焊球覆蓋部分焊盤,進一步增大了焊球與凸點、焊盤間的結合力,可以有效提高半導體器件的封裝件的良率。
為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本實用新型的各具體實施方式做詳細的說明。
第一實施例
請參考圖4,本實用新型第一實施例的半導體器件的封裝方法,包括:
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