[實用新型]除油裝置以及研磨液攪拌裝置

有效

• 申請號: 201220521264.8
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN202823221U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 沈葉舟
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B01F7/16
• 分類號: B01F7/16;B01F15/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本發明涉及半導體生產領域，尤其涉及一種除油裝置以及研磨液攪拌裝置。

背景技術

隨著半導體行業的發展，化學機械研磨（CMP）作為芯片加工中必不可少的一道工藝也面臨著越來越高的挑戰。在化學機械研磨的工藝中，將半導體晶片放置于研磨頭上，并使晶圓表面朝下與研磨墊接觸，在所述研磨墊和半導體晶片之間通入研磨液（Slurry），通過晶片表面和研磨墊之間的相對運動使得晶片表面平坦化。由于化學機械研磨工藝是同時利用機械方式與化學方式進行，因此必須考慮到很多復雜的工藝參數，例如目標薄膜層的特性、研磨液的成分、研磨墊的組成、平臺轉速等，其中，研磨液是化學機械研磨工藝中的一項關鍵的消耗品，在芯片化學機械研磨過程中起著非常重要的作用。

由上可知，研磨液品質將直接影響化學機械研磨對晶圓表面進行平坦化的好壞，因而，正常生產中不能有任何的雜質污染研磨液。請參考圖1，在現有技術中，現有的研磨液攪拌裝置包括研磨液缸1、攪拌棒2以及攪拌馬達3，所述研磨液缸1設有一開口，研磨液是放置在研磨液缸1中，依靠攪拌馬達3帶動攪拌棒2對研磨液進行攪拌，保證其密度等均勻，用于正常生產。然而，攪拌馬達3中帶有一些油，例如潤滑油等。在攪拌馬達3長期的使用中，油漬將漏出并沿著攪拌棒2滴入研磨液缸1中的研磨液中，從而污染研磨液，若研磨液噴到晶圓表面則會污染晶圓并且損害晶圓。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種除油裝置以及研磨液攪拌裝置，以防止油漬污染研磨液。

為了實現上述目的，本實用新型提出一種除油裝置，用于去除研磨液攪拌裝置的油漬，所述研磨液攪拌裝置包括：攪拌馬達、攪拌棒以及研磨液缸，所述研磨液缸設有一開口；所述除油裝置包括：第一遮擋盤、第二遮擋盤和油管，所述第一遮擋盤設有一第一開孔，所述第二遮擋盤設有一第二開孔；所述第二遮擋盤的尺寸大于所述第一遮擋盤的尺寸，所述攪拌棒穿過所述第一開孔和第二開孔伸入到所述研磨液缸，所述第一遮擋盤與所述攪拌棒連接并隨所述攪拌棒轉動，所述第二遮擋盤固定于所述研磨液缸的開口上，所述油管與所述第二遮擋盤連通。

進一步的，所述第一遮擋盤包括圓形的底壁以及與所述底壁外邊緣連接的側壁，所述第一開孔設置于所述底壁上。

進一步的，所述第一遮擋盤的側壁高度范圍為1cm~3cm，所述第一遮擋盤的底壁的直徑范圍為8cm~12cm。

進一步的，所述除油裝置還包括設置于所述第一開孔內的密封圈，所述第一遮擋盤通過所述密封圈與所述攪拌棒密封連接。

進一步的，所述第二遮擋盤包括圓形的底壁、與所述底壁外邊緣連接的外側壁以及與所述底壁內邊緣連接的內側壁，所述第二開孔設置于所述底壁上。

進一步的，所述第二遮擋盤的底壁的直徑大于所述第一遮擋盤的底壁的直徑。

進一步的，所述第二遮擋盤的外側壁及內側壁的高度范圍均為1cm~3cm，所述第二遮擋盤的底壁的直徑范圍為10cm~14cm。

進一步的，所述第二遮擋盤通過一螺絲與所述研磨液缸的開口固定連接。

進一步的，所述外側壁上設有一排油孔，所述油管通過所述排油孔與所述第二遮擋盤連通。

進一步的，所述底壁上設有一排油孔，所述油管通過所述排油孔與所述第二遮擋盤連通。

進一步的，所述油管通過一便捷卡頭固定于所述第二遮擋盤上。

本發明還提出了一種研磨液攪拌裝置包括上述除油裝置。

與現有技術相比，本實用新型的主要有益效果體現在：通過添加第一遮擋盤遮擋住攪拌馬達泄露出的油漬，通過添加第二遮擋盤遮擋住研磨液缸的開口，并連接一油管排走第二遮擋盤的油漬，從而避免油漬落入研磨液缸中污染研磨液。

附圖說明

圖1為現有技術中研磨液攪拌裝置的結構示意圖；

圖2為本實用新型一實施例的研磨液攪拌裝置的結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解，下面結合具體實施例對本實用新型進行更詳細的描述。

請參考圖2，本實施例中提出的除油裝置，用于去除研磨液攪拌裝置的油漬，所述研磨液攪拌裝置包括：攪拌馬達3、攪拌棒2以及研磨液缸1，所述研磨液缸1設有一開口。