[實用新型]一種限流電路

有效

• 申請號: 201220485333.4
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN202797926U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 余力;吳勇;桑園
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H02H9/02
• 分類號: H02H9/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種限流電路，包括輸入端（IN）、輸出端（OUT），其特征在于，還包括：第一PMOS晶體管（P1）、第二PMOS晶體管（P2）、第三PMOS晶體管（P3）、第四PMOS晶體管（P4）、第一NMOS晶體管（N1）、第二NMOS晶體管（N2）、第三NMOS晶體管（N3）、第四NMOS晶體管（N4）、第五NMOS晶體管（N5）、第六NMOS晶體管（N6）、電阻（R1）和恒流源（I1）；

電壓源（VDD）連接至第一PMOS晶體管（P1）的源極、第二PMOS晶體管（P2）的源極、第三PMOS晶體管（P3）的源極和第四PMOS晶體管（P4）的源極；輸入端（IN）連接至第一PMOS晶體管（P1）的漏極和第二PMOS晶體管（P2）的柵極；第一PMOS晶體管（P1）的柵極和第一NMOS晶體管（N1）的漏極通過電阻（R1）連接至電壓源（VDD）；第二PMOS晶體管（P2）的漏極連接至第一NMOS晶體管（N1）的柵極和第二NMOS晶體管（N2）的漏極；第三PMOS晶體管（P3）的柵極和第四PMOS晶體管（P4）的柵極連接至第三PMOS晶體管（P3）的漏極和第五NMOS晶體管（N5）的漏極；第四PMOS晶體管（P4）的漏極連接至第二NMOS晶體管（N2）的柵極、第三NMOS晶體管（N3）的柵極和漏極；第一NMOS晶體管（N1）的源極、第二NMOS晶體管（N2）的源極、第三NMOS晶體管（N3）的源極和第四NMOS晶體管（N4）的漏極連接至輸出端（OUT）；第四NMOS晶體管（N4）的源極、第五NMOS晶體管（N5）的源極和第六NMOS晶體管（N6）的源極均接地；第四NMOS晶體管（N4）的柵極和漏極、第五NMOS晶體管（N5）的柵極和漏極、第六NMOS晶體管（N6）的柵極和漏極均通過恒流源（I1）連接至電壓源（VDD）。

2.根據權利要求1所述的限流電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管（P1）與第二PMOS晶體管（P2）為參數相同的PMOS晶體管。

3.根據權利要求1所述的限流電路，其特征在于，所述第三PMOS晶體管（P3）與第四PMOS晶體管（P4）為參數相同的PMOS晶體管。

4.根據權利要求1所述的限流電路，其特征在于，所述第一NMOS晶體管（N1）與第二NMOS晶體管（N2）為參數相同的NMOS晶體管。

5.根據權利要求1所述的限流電路，其特征在于，所述第四NMOS晶體管（N4）、第五NMOS晶體管（N5）和第六NMOS晶體管（N6）為參數相同的NMOS晶體管。