[實(shí)用新型]一種固態(tài)微波功率放大器的控制保護(hù)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220473125.2
• 申請(qǐng)日: 2012-09-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202856691U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安天偉電子系統(tǒng)工程有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03F1/52
• 分類(lèi)號(hào): H03F1/52;H03F3/20
• 代理公司: 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216
• 代理人: 林兵

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種過(guò)流過(guò)壓保護(hù)電路，具體涉及一種固態(tài)微波功率放大器控制保護(hù)電路。?

背景技術(shù)

在大功率固態(tài)微波功率放大器中，要使用到大電流的電源，電流動(dòng)輒幾安培到幾十安培，電源如果出現(xiàn)過(guò)流過(guò)壓，在極其短的時(shí)間內(nèi)功放管就會(huì)被燒毀；由于現(xiàn)有的砷化鎵、氮化鎵微波功率管是由柵極負(fù)電壓控制漏極的大電流，就要求負(fù)電壓在正電壓之前加載到微波功率管上，以控制微波功率管的工作電流在額定范圍內(nèi)，否則，加載到微波功率管上的電流不受控制，引起電流過(guò)大，過(guò)大的電流很快將燒毀微波功率管。同時(shí)，目前的電路負(fù)壓與正壓上電的順序控制和過(guò)流過(guò)壓保護(hù)電路通常是分開(kāi)單獨(dú)設(shè)計(jì)的，如何有效地通過(guò)電路設(shè)置進(jìn)行電壓控制以保護(hù)微波功率管，是固態(tài)微波功率放大器設(shè)計(jì)中關(guān)鍵的技術(shù)，因此，研究一種固態(tài)微波功率放大器控制保護(hù)電路，對(duì)于微波功率管的安全使用是非常有現(xiàn)實(shí)意義的。?

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷或不足，本實(shí)用新型的目的在于，提供一種固態(tài)微波功率放大器控制保護(hù)電路，該電路融合了正負(fù)壓上電順序、過(guò)流過(guò)壓保護(hù)、外部控制信號(hào)控制，實(shí)現(xiàn)了負(fù)電壓控制正電壓加載，負(fù)電壓先于正電壓加載到微波功率管，同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)過(guò)流過(guò)壓保護(hù)。?

為了實(shí)現(xiàn)上述任務(wù)，本實(shí)用新型采取如下的技術(shù)解決方案：?

一種固態(tài)微波功率放大器的過(guò)流過(guò)壓保護(hù)電路，包括電流傳感器、功率MOSFET器件、過(guò)流過(guò)壓檢測(cè)模塊和光電耦合器，其中，所述過(guò)流過(guò)壓檢測(cè)模塊包括過(guò)流檢測(cè)模塊和過(guò)壓檢測(cè)模塊，正壓大電流分別接入電流傳感器和過(guò)壓檢測(cè)模塊，電流傳感器的兩個(gè)輸出端分別連接過(guò)流檢測(cè)模塊和功率MOSFET器件，所述過(guò)流檢測(cè)模塊、過(guò)壓檢測(cè)模塊的輸出端分別接入光電耦合器，電源開(kāi)關(guān)控制信號(hào)以及負(fù)電壓也接入光電耦合器，光電耦合器的輸出端連接功率MOSFET器件，功率MOSFET器件的輸出端連接微波功率管。

所述的過(guò)流過(guò)壓檢測(cè)模塊采用MC33161DG。?

所述保護(hù)電路包括電阻R*1、R*2、R*3、R*4、R1、R2、R3，電容C2、C3、C4、C5，穩(wěn)壓二極管V3，二極管V1、V2，電流傳感器S1，功率MOSFET器件V4，過(guò)流過(guò)壓檢測(cè)模塊MC33161DG，光電耦合器N3，+5V電壓、-5V電壓；其中：?

+5V電壓輸入電流傳感器S1的VCC接口，同時(shí)通過(guò)電阻R1、電阻R2接入光電耦合器N3內(nèi)發(fā)光二極管的正極；

正壓大電流接入電流傳感器S1的IP+接口，同時(shí)通過(guò)電阻R*2接入MC33161DG的Input1接口，電阻R*1一端接地，另一端接入電阻R*2與MC33161DG的Input1接口之間；

電流傳感器S1的V1OUT接口與MC33161DG的Input2接口之間通過(guò)電阻R*4連接，電阻R*3一端接地，另一端連接在電阻R*4與MC33161DG的Input2接口之間；電流傳感器S1的GND接口與MC33161DG的Input2接口之間連接電容C4，電容C5的一端接入+5V電壓到電流傳感器S1的VCC接口之間，另一端接入電流傳感器S1的GND接口與電容C4之間，電容C4與C5之間接地；電流傳感器S1的IP-接口連接功率MOSFET器件V4，電阻R3一端接入電流傳感器S1的IP-接口和功率MOSFET器件V4之間，另一端接入功率MOSFET器件V4與穩(wěn)壓二極管V3的柵極之間；

MC33161DG的VCC接口接入+5V電壓輸入與電阻R1之間，且在接入點(diǎn)前連接電容C2、C3，電容C2、C3的另一端接地；MC33161DG的Output1接口接入二極管V1的負(fù)極，二極管V1的正極接入電阻R1和電阻R2之間；MC33161DG的Output2接口接入二極管V2的負(fù)極，二極管V2的正極接入電阻R1和電阻R2之間；

-5V電源通過(guò)穩(wěn)壓二極管V3連接到光電耦合器N3內(nèi)三極管發(fā)射極端；功率MOSFET器件V4輸出正壓大電流到微波功率管；電源開(kāi)關(guān)控制信號(hào)接入光電耦合器N3內(nèi)發(fā)光二極管的負(fù)極端。

所述穩(wěn)壓二極管V3為5.1V穩(wěn)壓二極管。?