[實(shí)用新型]用于爬波探傷的探頭

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220421701.9
• 申請(qǐng)日: 2012-08-23
• 公開（公告）號(hào): CN202757912U
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王維東;張?jiān)食?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國神華能源股份有限公司;北京國華電力有限責(zé)任公司;國華徐州發(fā)電有限公司
• 主分類號(hào): G01N29/24
• 分類號(hào): G01N29/24
• 代理公司: 北京潤平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 翟洪玲;李翔

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及無損檢測領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于爬波探傷的探頭。

背景技術(shù)

高溫緊固螺栓是火力發(fā)電廠熱動(dòng)力設(shè)備的重要部件。在長期運(yùn)行中，由于高溫及高應(yīng)力的作用，螺栓材料容易產(chǎn)生熱脆、蠕變、疲勞、應(yīng)力腐蝕；由于安裝中預(yù)緊力過高及不慎燒傷中心孔等原因，螺栓材料容易產(chǎn)生裂紋。為了確保設(shè)備安全運(yùn)行，加強(qiáng)對(duì)高溫緊固螺栓的有效檢驗(yàn)甚為重要。

目前常使用小角度縱波檢測的方法、橫波檢測方法和爬波檢測方法來檢驗(yàn)高溫緊固螺栓內(nèi)部是否出現(xiàn)裂紋。

爬波又稱為表面下縱波，是縱波從第一介質(zhì)以第一臨界角附近的角度入射到第二介質(zhì)時(shí)，在第二介質(zhì)中產(chǎn)生的一種非均勻波。由于爬波在傳播時(shí)，大部分能量主要集中在表面下的某個(gè)范圍內(nèi)，且不同于表面波，對(duì)工件表面粗糙度不敏感，因此爬波檢測方法能夠探測到較粗糙的表面下的裂紋，但目前的爬波探頭都不能準(zhǔn)確地進(jìn)行爬波檢測。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種用于爬波探傷的探頭，利用所述探頭進(jìn)行爬波探傷時(shí)可以準(zhǔn)確地確定待測物體表面下方的裂紋。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種用于爬波探傷的探頭，該探頭包括具有開口的殼體、晶片和保護(hù)層，所述晶片設(shè)置在所述殼體內(nèi)部，所述保護(hù)層設(shè)置在所述殼體的所述開口處與所述殼體固定連接，并將所述殼體封閉，所述保護(hù)層的一個(gè)端面與所述晶片貼合且所述保護(hù)層與所述晶片固定連接，另一個(gè)端面用于與待測物體的表面相貼合，其中，所述保護(hù)層的所述另一個(gè)端面的形狀與所述待測物體的表面的形狀相匹配。

優(yōu)選地，所述保護(hù)層的所述另一個(gè)端面為圓柱面的一部分且向內(nèi)凹陷。

優(yōu)選地，所述晶片為兩個(gè)。

優(yōu)選地，所述晶片傾斜設(shè)置，以使該晶片與所述保護(hù)層貼合的端面朝向所述保護(hù)層的所述另一個(gè)端面的圓心。

利用本實(shí)用新型提供的探頭進(jìn)行爬波探傷時(shí)，探頭的保護(hù)層表面能夠與待測物體貼合，使得絕大部分晶片產(chǎn)生的超聲波都能夠通過保護(hù)層穿入到待測物體內(nèi)部，從而提高了所述探頭在爬波探傷時(shí)發(fā)現(xiàn)缺陷的能力。

本實(shí)用新型的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的探頭的側(cè)剖視示意圖；

圖2是圖1中所示的探頭的主視圖；

圖3是圖1中所示的探頭的俯視圖；

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型另一種實(shí)施方式的探頭的側(cè)剖示意圖；

圖5是本實(shí)用新型所述的爬波探傷方法所用到的對(duì)比試塊的示意圖；

圖6是圖5中所示對(duì)比試塊的A-A剖視圖；

圖7是利用圖1中所示的探頭對(duì)待測物體進(jìn)行探傷的示意圖；

圖8是通過爬波探傷獲得的圖7中的待測物體的缺陷反射波的示意圖。

附圖標(biāo)記說明

10??晶片????????????????20??保護(hù)層

30??對(duì)比試塊????????????31??檢測面

32??第一檢測凹槽????????33??第二檢測凹槽

40??待測物體????????????50??探頭接口

60??殼體????????????????100?探頭

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

如圖1至圖4所示，本實(shí)用新型提供一種用于爬波探傷的探頭100，該探頭100包括具有開口的殼體60、晶片10和保護(hù)層20，晶片10設(shè)置在殼體60內(nèi)部，保護(hù)層20設(shè)置在殼體60的所述開口處與殼體60固定連接，并將殼體60封閉，保護(hù)層20的一個(gè)端面與晶片10貼合且保護(hù)層20與晶片10固定連接，另一個(gè)端面用于與待測物體的表面相貼合，其中，所述另一個(gè)端面的形狀與所述待測物體的表面的形狀相匹配。