[實用新型]一種晶體硅太陽能電池組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220413195.9
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN202695468U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金劉
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇格林保爾光伏有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 金輝

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體硅太陽能電池組件。

背景技術(shù)

太陽能電池組件，也叫太陽能電池板，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源，越來越受到人們的關(guān)注。傳統(tǒng)的太陽能電池組件的主柵采用銀印制柵線，成本較高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種制作簡便的低成本的晶體硅太陽能電池組件。

實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)方案是：一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述負極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵；所述正極層上具有背電極和背電場；所述主柵上均布有若干方形或菱形的小孔。

上述技術(shù)方案所述負極層和正極層均為銀層。

上述技術(shù)方案所述負極層和N型硅層之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層。

上述技術(shù)方案所述氮化硅減反射膜層和N型硅層之間還設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層。

上述技術(shù)方案所述P型硅層和正極層之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層。

采用上述技術(shù)方案后，本實用新型具有以下積極的效果：

（1）本實用新型的主柵上均布有若干方形的小孔；可以減少銀漿的使用，降低了制作成本。

（2）本實用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層,?主要作用是減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓太陽能組件吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟效益大為改善。

（3）本實用新型的正極層和P型硅層之間設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層；二氧化硅具有吸雜、鈍化的作用，可以提高反射效率。

附圖說明

為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型的負極層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中1.負極層，11.主柵，111.小孔，12.副柵，2.N型硅層，3.P型硅層，4.正極層，41.背電極，42.背電場，5.氮化硅減反射膜層，6.第一二氧化硅鈍化膜層，7.第二二氧化硅鈍化膜層。

具體實施方式

（實施例1）

見圖1和圖2，本實用新型具有依次層疊的負極層1、N型硅層2、P型硅層3和正極層4；負極層1為銀層，負極層1的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12；主柵11上均布有若干方形的小孔111；負極層1和N型硅層2之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層5；氮化硅減反射膜層5和N型硅層2之間設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層6；正極層4為銀層，正極層4上具有背電極41和背電場42；?P型硅層3和正極層4之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層7。

以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。