[實用新型]一種晶體硅太陽能電池的背面結構

有效

• 申請號: 201220409470.X
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN202796971U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 孟夏杰;王栩生;章靈軍
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯（中國）投資有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒;陸金星

1.一種晶體硅太陽能電池的背面結構，包括依次設于硅片(1)背面的鈍化介質膜層(2)和鋁漿層(3)；所述鈍化介質膜層上設有開口(4)，所述鋁漿層通過開口與硅片背面形成局部接觸；其特征在于：所述開口包括至少1種線段開口，每一種線段開口包括至少2條線段開口；

所述線段開口的長度為0.3~5毫米，其寬度為20~100微米；所述線段開口的總面積占硅片背面面積的1~4%；

所述各個線段開口均布于硅片背面。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的背面結構，其特征在于：所述線段開口的長度為0.5~1.5毫米，其寬度為35~50微米；線段開口的總面積占硅片背面面積的2~3%。

3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的背面結構，其特征在于：所述開口包括1種線段開口，所述線段開口呈矩形，其均勻排布于硅片背面，構成三角形、四邊形或六邊形的結構。