[實用新型]離子濺射鍍膜裝置

有效

• 申請號: 201220382645.2
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN202730223U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 卜軼坤;關振奮;張慎興;吳冠偉;劉森山
• 申請（專利權）人: 晉譜（福建）光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 福州市鼓樓區博深專利代理事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 林志崢

1.一種離子濺射鍍膜裝置，其特征在于，包括真空鍍膜室及位于所述真空鍍膜室一側的用于發射濺射離子束的等離子發射裝置，所述真空鍍膜室的內空間容置有的位于真空鍍膜室頂部的基板、位于真空鍍膜室底部的托盤、位于所述托盤上的靶材及位于托盤一側的輔助離子發射裝置，所述輔助離子發射裝置的發射端口正對于基板板面，所述等離子發射裝置的端口與真空鍍膜的內空間相連通，且等離子發射裝置的端口繞有發射電磁線圈。

2.根據權利要求1所述的離子濺射鍍膜裝置，其特征在于，還包括偏轉電磁線圈，所述偏轉電磁線圈繞于所述真空鍍膜室的底部外側的突起，且所述偏轉電磁線圈處于所述托盤的下部。

3.根據權利要求1所述的離子濺射鍍膜裝置，其特征在于，還包括旋轉架，所述基板通過旋轉架懸掛于真空鍍膜室頂部。

4.根據權利要求1所述的離子濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述托盤為可旋轉的轉盤，所述靶材的數量為4-8塊，所述靶材均勻地固定于轉盤上。

5.根據權利要求1-4任一項所述的離子濺射鍍膜裝置，其特征在于，所述靶材的形狀為圓形或矩形。