[實用新型]適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板

有效

• 申請號: 201220380951.2
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN202772851U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 李坡;李冬強;高志祥;袁波;謝科偉
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓晶體科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水;陳勤

技術領域

本實用新型涉及的是一種應用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，屬于石英電子元器件制作的生產技術領域。?

背景技術

隨著電子信息技術的飛速發展，頻率元件的要求而今變得越來越高。作為頻率元件的一種，石英晶體振蕩器也面臨更高的穩定性、更寬的上拉范圍、更低的噪聲和更短的開關時間等要求。在振蕩器生產過程中，通過穩定刻蝕的方法在石英表面進行局部處理，可以獲得超高基頻的水晶片，通過這一技術生產的高基頻InvertMesa晶片，制作成晶體振蕩器產品后，相比于利用水晶片倍頻技術，或IC倍頻技術生產的產品，有更好的相位噪聲，更小的抖動值等。對于常用頻率，如155.52MHz、166.6285MHz及125MHz等，采用高基頻InvertMesa晶片制成的晶體振蕩器可以達到這樣的參數指標：相位噪聲≤-135dB1KHz、Rms?Jitter≤1?Ps，可廣泛應用于數據傳輸、以太網通訊等。由此可見高基頻MESA晶片性能的優越性。?

InvertMesa晶片鍍膜過程需要分幾步完成，在初鍍時需要把晶片的四周全部鍍上金屬保護層（一般為金），同時晶片中心的InvertMesa區域（孤島）需暴露在晶片表面，以便于后續局部腐蝕，因此設計初鍍夾具的時候就遇到了一個問題：必須在晶片的中心設計一個“孤島”型的掩膜區域。目前其他廠家的常規設計為在鍍膜過程中用小磁片來遮擋“孤島”區域，晶片先后進行兩次鍍膜，分別對晶片上下兩表面進行鍍膜處理，這樣經常會出現晶片兩表面“孤島”區域的中心不同心、偏差大等問題，從而導致晶體的相位噪聲變大，頻率穩定性變差和短穩特性變差等問題的出現。而且這種方式僅適用于圓形InvertMesa晶片，因其中心的InvertMesa區域同樣為圓形，磁片擺放容易，而條形晶片的InvertMesa區域不對稱，若采用小磁片遮擋將難以控制兩次鍍膜“孤島”中心的一致性。?

發明內容

本實用新型提出的是一種用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其目的在于避免高基頻InvertMesa晶片初鍍過程出現晶片兩面InvertMesa“孤島”中心不一致的缺陷而提供的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍過程保持晶片兩面“孤島”中心一致性的鍍膜用掩膜板。?

本實用新型的技術解決方案：其特征是由完成高基頻InvertMesa晶片初鍍第一次鍍膜過程的A版掩膜板和完成高基頻InvertMesa晶片初鍍第二次鍍膜過程的B版掩膜板組成。?

本實用新型的優點：A、B兩版掩膜板的設計彌補了高基頻InvertMesa晶片初鍍過程晶片兩面“孤島”中心不同心等高的不足。在性能上使得晶體具有更好的頻率穩定性，更低的相位噪聲，更短的開關時間和更寬的拉升范圍等優點；同時可以提高高基頻InvertMesa晶片初鍍過程晶片兩面“孤島”中心一致性的合格率，降低了生產過程中的損耗；此外A、B兩版掩膜板的使用不需要安放輔助掩膜物體，生產方便，初鍍效率得到提升。?

附圖說明

圖1是A版掩膜板電極上蓋板示意圖，表明上蓋板電極的分布及形狀；?

圖3是A版掩膜板電極下蓋板示意圖，表明下蓋板電極的分布及形狀；

圖2、4是高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜后晶片的外觀圖，分別表征晶片的兩面，陰影部分表示該部分被保護金屬覆蓋；

圖5是A版掩膜板定位板示意圖，表明定位板上限位槽的分布及形狀；

圖6是A版掩膜板限位槽放大圖，表明定位板上限位槽的具體外形；

圖7是B版掩膜板電極上蓋板示意圖，表明上蓋板電極的分布及形狀；

圖9是B版掩膜板電極下蓋板示意圖，表明下蓋板電極的分布及形狀；

圖8、10是高基頻InvertMesa晶片初鍍過程中第一次鍍膜后晶片的外觀圖，分別表征晶片的兩面，陰影部分表示該部分被保護金屬覆蓋；

圖11是B版掩膜板定位板示意圖，表明定位板上限位槽的分布及形狀；

圖12是B版掩膜板限位槽放大圖，說明定位板上限位槽的具體外形；

上述圖2、4、8、10中三個陰影部分共同夾出的不規則多邊形區域稱為“孤島”；十字形表征高基頻InvertMesa晶片“孤島”的中心。

具體實施方式

對照附圖，其結構是由A、B兩版掩膜板構成；其中A版掩膜板完成高高基頻InvertMesa晶片初鍍的第一次鍍膜過程，B版掩膜板完成高基頻InvertMesa晶片初鍍的第二次鍍膜過程。?