[實用新型]適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板

有效

• 申請號: 201220380951.2
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN202772851U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 李坡;李冬強;高志祥;袁波;謝科偉
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓晶體科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/02
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水;陳勤

1.一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是由完成高基頻InvertMesa晶片初鍍第一次鍍膜過程的A版掩膜板和完成高基頻InvertMesa晶片初鍍第二次鍍膜過程的B版掩膜板組成。

2.根據權利要求1所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是所述的A版掩膜板包括一晶片定位板、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板，其中一晶片定位板具有若干晶片限位槽，以在鍍膜過程中放置并穩定晶片；一鍍膜電極下底板具有與晶片定位板上限位槽對應的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方以為晶片下表面提供鍍膜電極；一鍍膜電極上蓋板具有與晶片定位板限位槽和電極下底板上鏤空電極對應的鏤空及掩膜部分。

3.根據權利要求1所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是B版掩膜板包括與A版掩膜板作用相同的一晶片定位板、一鍍膜電極下底板和一鍍膜電極上蓋板；對應組件由A版掩膜板組件鏡像對稱得到。

4.根據權利要求1所述的一種適用于高基頻InvertMesa晶片初鍍的鍍膜用掩膜板，其特征是：高基頻InvertMesa晶片兩面“孤島”區域的兩次鍍膜中心保持同心等高。