[實用新型]一種半導體激光器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220378296.7 | 申請日： | 2012-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN202752749U | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李希勇;周峰;杜伯奇;張延亮;楊慶東;蘇倫昌;董春春;楊帆 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東能源機械集團大族再制造有限公司 |
| 主分類號： | B23K26/14 | 分類號： | B23K26/14 |
| 代理公司： | 北京恒都律師事務(wù)所 11395 | 代理人： | 邸建凱 |
| 地址： | 271219 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導體激光器 | ||
1.一種半導體激光器，其特征在于，包括激光器主體、激光頭以及位于激光頭上的用于保護激光頭的防護裝置；
其特征在于，所述防護裝置具有與激光頭相連接的連接罩、第一腔體，二級防護鏡片，在二級防護鏡片的下方具有第二腔體，在所述第一腔體上具有第一氣體入口和第一氣體出口，在所述第二腔體上具有第二氣體入口和第二氣體出口，所述第一氣體出口與第二氣體入口連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第二腔體為錐形腔體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一氣體入口與氣體發(fā)生裝置連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導體激光器，其特征在于，所述氣體發(fā)生裝置為氮氣發(fā)生裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第一氣體入口的氣流朝向為水平方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第二氣體入口的朝向為斜上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述第二氣體出口的方向為豎直向下。
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